化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的研究进展

发布时间：2018-08-09 08:04

【摘要】：石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。
[Abstract]:Graphene is a new carbonaceous material formed by the compact stacking of monolayer carbon atoms. It has excellent electrical, optical, thermal and mechanical properties. Among the many preparation methods of graphene, chemical vapor deposition (Chemical vapor depositionCVD) is most likely to achieve the controllable preparation of large area and high quality graphene. The factors affecting the preparation of large area and high quality graphene by CVD are reviewed, including substrate, carbon source and growth conditions (gas flow rate, growth temperature, plasma power, growth pressure, deposition time, cooling rate, etc.). Finally, the development trend of graphene preparation by CVD method is prospected.
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室;
【基金】：河北省在读研究生创新资助项目(220056) 河北省自然科学基金(F2012202075)
【分类号】：TQ127.11

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