HWCVD制备氢化非晶硅和氢化非晶氧化硅对晶体硅表面的钝化性能研究
发布时间：2021-01-08 13:44
硅片表面钝化是a-Si:H/c-Si异质结太阳电池获得高转换效率的关键技术之一。用于钝化的薄膜材料主要有氢化非晶硅a-Si:H、氢化非晶氧化硅a-SiOx:H。目前,对这两种材料钝化的关键控制参量的认识仍不够明晰,导致无法准确把握其制备技术改进方向。本文采用热丝化学气相沉积（HWCVD）法制备a-Si:H薄膜和a-SiOx:H薄膜,通过改变工艺参数获得不同微观结构和钝化效果的薄膜,采用椭圆偏振光谱仪、傅里叶红外以及少子寿命测试仪系统分析薄膜微观结构、介电函数等指标与钝化效果的关联,主要取得如下结论:（1）在形成非晶硅网络结构时,高频介电函数ε1∞与折射率的关系为当k=0,ε1∞=n∞2,a-Si:H薄膜的折射率越大意味着薄膜结构更为致密。结合红外光谱分析发现,每个工艺参数中,薄膜微观结构因子R*[ISiH2/(ISi H+ISiH2)]是在折射率n∞
【文章来源】：南昌大学江西省 211工程院校
【文章页数】：58 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
典型的HIT异质结太阳电池结构图
图 1.2 部分研究机构的晶体硅异质结天阳电池效率发展史[3]图 1.3 世界各个研究机构的 SHJ 电池开压和效率关系[4]晶体硅异质结的前沿研究机构有很多，在美国有国家可再ationalRenewableEnergyLaboratory)，在日本有 Panasoni
2图 1.3 世界各个研究机构的 SHJ 电池开压和效率关系[4]国际上，晶体硅异质结的前沿研究机构有很多，在美国有国家可再生能(NREL,NationalRenewableEnergyLaboratory)，在日本有 Panasonic 团队术综合研究所(AIST,The NationalInstitute of Advanced Industrial Sciencnology)等。欧洲的非晶硅/晶体硅异质结电池研究机构较多，例如有德
【参考文献】：
期刊论文
[1]热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响[J]. 宁武涛,何玉平,黄海宾,周浪. 半导体技术. 2015(08)
[2]MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究[J]. 胡跃辉,阴生毅,陈光华,吴越颖,周小明,周健儿,王青,张文理. 物理学报. 2004(07)
博士论文
[1]热丝CVD法制备硅基薄膜材料及相关太阳电池模拟研究[D]. 黄海宾.南京航空航天大学 2010
本文编号：2964700
【文章来源】：南昌大学江西省 211工程院校
【文章页数】：58 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
典型的HIT异质结太阳电池结构图
图 1.2 部分研究机构的晶体硅异质结天阳电池效率发展史[3]图 1.3 世界各个研究机构的 SHJ 电池开压和效率关系[4]晶体硅异质结的前沿研究机构有很多，在美国有国家可再ationalRenewableEnergyLaboratory)，在日本有 Panasoni
2图 1.3 世界各个研究机构的 SHJ 电池开压和效率关系[4]国际上，晶体硅异质结的前沿研究机构有很多，在美国有国家可再生能(NREL,NationalRenewableEnergyLaboratory)，在日本有 Panasonic 团队术综合研究所(AIST,The NationalInstitute of Advanced Industrial Sciencnology)等。欧洲的非晶硅/晶体硅异质结电池研究机构较多，例如有德
【参考文献】：
期刊论文
[1]热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响[J]. 宁武涛,何玉平,黄海宾,周浪. 半导体技术. 2015(08)
[2]MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究[J]. 胡跃辉,阴生毅,陈光华,吴越颖,周小明,周健儿,王青,张文理. 物理学报. 2004(07)
博士论文
[1]热丝CVD法制备硅基薄膜材料及相关太阳电池模拟研究[D]. 黄海宾.南京航空航天大学 2010
本文编号：2964700
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxuehuagong/2964700.html
