应用于石墨烯制备的CVD反应炉研制
发布时间:2021-01-26 12:48
本文介绍了应用于石墨烯制备的CVD反应炉的工艺原理及技术特点,并以一台已经研制成功的CVD反应炉为例,详细阐述了该设备的相关设计思路及特点。该设备采用先进的控温技术控制加热器的快速升温,通过闭环控制实现了工艺过程中腔室压力的自动控制,具有控制精度高、响应快、一致性好等优点。
【文章来源】:真空. 2020,57(03)
【文章页数】:4 页
【部分图文】:
控制系统结构图
CVD反应炉试制成功后,于2014年初交付用户使用。目前,该设备已成功完成多种气相沉积工艺,工艺运行过程为全自动程序控制,程序运行稳定,产品一致性好。3.1 性能参数
【参考文献】:
期刊论文
[1]多光谱CVD硫化锌材料的磨削去除机理[J]. 陈冰,焦浩文,罗良,邓朝晖,赵清亮. 宇航材料工艺. 2019(04)
[2]石墨烯/低密度聚乙烯复合膜的制备及性能[J]. 单利君,林勤保,张明,陈朝方,廖佳. 包装工程. 2017(13)
[3]半导体CVD真空镀膜监控系统的设计[J]. 葛品森,刘颖,夏诗怡. 科技信息. 2012(10)
[4]基于MSComm控件的串口通信在CVD控制装置中的应用[J]. 苏卫峰,李霞,单正娅. 科技资讯. 2010(20)
[5]基于PLC的直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石设备自动控制系统[J]. 姜龙,郭辉,吴晓波,胡红彦. 真空. 2010(02)
[6]CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展[J]. 孙蕾,满卫东,汪建华,谢鹏,熊礼威,李远. 真空与低温. 2008(03)
[7]RF-500型CVD镀膜机计算机控制系统[J]. 徐香坤,孔祥玲,王庆. 工业控制计算机. 2007(09)
[8]双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制[J]. 曾玉刚,韩根全,余金中,成步文,王启明. 真空. 2007(03)
[9]基于PLC的MOCVD控制系统设计[J]. 过润秋,陈贤能. 微计算机信息. 2007(13)
[10]纳米金刚石薄膜的制备与应用[J]. 孙方宏,张志明,沈荷生,陈明,郭松寿. 机械工程学报. 2007(03)
本文编号:3001142
【文章来源】:真空. 2020,57(03)
【文章页数】:4 页
【部分图文】:
控制系统结构图
CVD反应炉试制成功后,于2014年初交付用户使用。目前,该设备已成功完成多种气相沉积工艺,工艺运行过程为全自动程序控制,程序运行稳定,产品一致性好。3.1 性能参数
【参考文献】:
期刊论文
[1]多光谱CVD硫化锌材料的磨削去除机理[J]. 陈冰,焦浩文,罗良,邓朝晖,赵清亮. 宇航材料工艺. 2019(04)
[2]石墨烯/低密度聚乙烯复合膜的制备及性能[J]. 单利君,林勤保,张明,陈朝方,廖佳. 包装工程. 2017(13)
[3]半导体CVD真空镀膜监控系统的设计[J]. 葛品森,刘颖,夏诗怡. 科技信息. 2012(10)
[4]基于MSComm控件的串口通信在CVD控制装置中的应用[J]. 苏卫峰,李霞,单正娅. 科技资讯. 2010(20)
[5]基于PLC的直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石设备自动控制系统[J]. 姜龙,郭辉,吴晓波,胡红彦. 真空. 2010(02)
[6]CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展[J]. 孙蕾,满卫东,汪建华,谢鹏,熊礼威,李远. 真空与低温. 2008(03)
[7]RF-500型CVD镀膜机计算机控制系统[J]. 徐香坤,孔祥玲,王庆. 工业控制计算机. 2007(09)
[8]双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制[J]. 曾玉刚,韩根全,余金中,成步文,王启明. 真空. 2007(03)
[9]基于PLC的MOCVD控制系统设计[J]. 过润秋,陈贤能. 微计算机信息. 2007(13)
[10]纳米金刚石薄膜的制备与应用[J]. 孙方宏,张志明,沈荷生,陈明,郭松寿. 机械工程学报. 2007(03)
本文编号:3001142
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxuehuagong/3001142.html