高介电低损耗玻璃陶瓷材料的制备及介电性能研究

发布时间：2021-03-02 03:07

　　本文通过熔融-快冷-可控结晶工艺制备了同时含有钛酸盐和铌酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5玻璃陶瓷纳米复合材料体系,在该体系的基础上通过调整SiO2、TiO2的含量来优化析出陶瓷相种类和比例,以及添加Al2O3和稀土氧化物进一步改善析出陶瓷相性能,从而期望获得高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷新体系。通过成分和工艺优化在BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5玻璃陶瓷体系中同时析出高介电常数的铌酸盐和钛酸盐陶瓷相。在800℃晶化的玻璃陶瓷样品中析出了 3种物相,分别是Pb2Nb2O7相,（Ba,Sr,Pb）Nb2O6相和（Sr,Pb）TiO3相,当结晶温度升高到900℃时,Pb2Nb2O7相完全消失,900℃和1000℃结晶处理后样品内只有（Ba,Sr,Pb）Nb2O6相和（Sr,Pb）TiO3相两相。晶粒在1000℃晶化处理后达到500nm左右。体系中玻璃体SiO2含量的增加使得析晶活化能增加,陶瓷相的析出更加困难,介电常数也随SiO2含量的增加呈逐渐降低的趋势。1000℃晶化处理SiO2摩尔比为16的样品得到了 1070的最大介电常数,同... 

【文章来源】：北京有色金属研究总院北京市

【文章页数】：67 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图３．２可控结晶处理温度曲线??

、３２．１?ＸＲＤ衍射分析??不同Ｓｉ〇２含量的ＢａＯ－ＳｒＯ－ＰｂＯ－Ｔｉ〇２－Ｓｉ〇２－Ｎｂ２〇５体系玻璃陶瓷样品ＸＲＤ衍射图??谱如图３．４所示。??１３??

图３．６不同晶化温度下玻璃陶瓷样品的Ｓｉ０２含量对介电常数和介电损耗的影响曲线??不同Ｓｉ〇２含量的样品在８００°Ｃ、９００°Ｃ、１０００°Ｃ晶化处理后介电常数与介电损耗??数据如图３．６所示。可以看出，不同ＳｉＣｈ含量的样品介电常数均随着结晶温度的升高??而增大。同时，在不同结晶温度处理后的样品介电常数均随着Ｓｉ０２含量的升高而降??低，这可能是由于随着Ｓｉ０２含量的增加，样品中玻璃相的含量增加，高介电常数陶??瓷相所占百分比下降，因此介电常数随着Ｓｉ０２含量的增加而减小。９００°Ｃ结晶处理??后的样品介电常数整体比８００°Ｃ结晶处理后的样品介电常数略高一些，由Ａ３样品经??过不同结晶温度处理后的扫描电镜图片可以看出，在８００°Ｃ和９００°Ｃ结晶处理后的??样品晶粒尺寸相差不多。１０００°Ｃ结晶处理后，介电常数较９００°Ｃ结晶处理后的样品??有大幅度提高，ＸＲＤ图谱显示，两种结晶温度处理后析出了相同的物相，同时扫面??电镜图片中

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3058481