铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响

发布时间：2021-03-25 17:47

　　以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响。研究结果表明,随着铼掺杂量的增加,碳化钍钨阴极晶粒逐渐减小,静压强度与抗冲击能量逐渐增加,当铼掺杂量超过0.5%时,晶粒大小与力学性能无明显变化。 

【文章来源】：真空电子技术. 2020,(04)

【文章页数】：4 页

【部分图文】：

不同铼含量的碳化钍钨阴极金相形貌

掺铼后碳化钍钨阴极金相组形貌

采取X射线残余应力测试仪测量碳化后掺铼阴极与正常阴极的残余应力,结果如图3所示。由图可见,两种阴极碳化后残余应力分布及大小无明显差异,并且残余应力呈现两端大、中间小的变化规律。因此,在相同的碳化工艺参数,掺入合金元素铼并不能改变碳化后的残余应力大小,如要消除碳化后的残余应力,就必须调整碳化工艺参数。3 结论

【参考文献】：
期刊论文
[1]微波炉用磁控管碳化钍钨阴极断裂失效分析[J]. 葛春桥,胡再兴,吴楚.  真空电子技术. 2013(05)
[2]掺杂方式对钨电子发射材料性能和结构的影响[J]. 席晓丽,聂祚仁,杨建参,郭艳群,左铁镛.  稀有金属. 2004(02)



本文编号：3100059