基于固态碳源的石墨烯低温制备与应用研究

发布时间：2021-06-26 11:38

　　石墨烯以其杰出的电学性质、优异的热力学稳定性和良好的机械强度,引起了学术界、工业界的广泛关注。近年来,纳米复合材料、储能器件和智能传感器的快速发展,给石墨烯的制备应用研究带来了极大的推动力。将氧化石墨烯还原制备得到石墨烯是一种工艺简单且成本低的石墨烯制备方法,是很有希望成为工业化制备石墨烯的路径之一。与此同时,从固态碳源中提取的非晶碳的重新排列,为石墨烯的生长提供了另一种途径。本文主要研究了基于固态碳源的石墨烯低温制备方法,利用基于磁控溅射法沉积非晶碳的结构重排和氧化石墨烯的等离子体还原来制备石墨烯。优化了相关制备工艺,揭示了石墨烯生长的内在机理,探讨基于还原氧化石墨烯的应力传感器件应用。本文第一部分利用磁控溅射方法沉积非晶碳作为石墨烯的生长碳源,探究了退火温度对石墨烯生长及质量的影响,通过对比发现,Ni在利用非晶碳制备石墨烯过程中起至关重要的作用。制备得到的石墨烯的质量并非随温度的升高而提高,在550?C的退火温度下,I_D/I_G值为0.5,石墨烯的缺陷较少。温度过高（>600?C）时,石墨烯会发生逆溶解现象,600?C时石墨烯的三个特... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：70 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

结构示意图

利用固态PMMA膜合成单层石墨烯

利用FVAS沉积的非晶碳制备石墨烯


本文编号：3251271