冲旋对撞粉碎技术的微观理论基础

发布时间：2021-07-15 13:25

　　从硅晶体变形的力学基础、晶体变形力学模型、力能流的粉碎效能、硅晶体粉碎过程4方面深入阐述了冲旋对撞粉碎技术的微观理论基础。 

【文章来源】：有机硅材料. 2020,34(02)

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

原子结合力、势能与间距的关系

为更深入掌握物料粉碎微观理论，下文介绍了原子在受拉、劈、切等外力作用时的原子键变形状况。图2为原子在拉伸作用下力和能的变化。原子键长度为a0时，势能和动能均最低。在拉伸作用下，a逐渐增大，直至am时原子间结合力最大，伴随着拉力(Fb)进一步增大，原子键断裂，外加拉伸能量Pb为原子结合势能所吸收，以此提高本身势能和动能，原子的晶格振动增大，稳定性降低，原子活性增强。

挤压外力多点施加于晶粒上，首先引起受压(迫击)面层原子晶格受压，原子键缩短，斥力增大，迫使附近晶格传递外力，引起原子外移(见图3)，拉伸原子键至断裂，晶体出现裂纹和裂缝，并逐渐碎裂。这与硅抗压试验中，晶体在受力时的宏观表现一致:先外层开裂，裂缝直下，继而斜向(约45°)伸展、碎裂[6]。图4的抗压强度曲线演示了脆性物料(如工业硅)拍击粉碎时的应力应变过程。受力初期，应力近直线增长，此时晶体压缩、原子键变短、斥力增大;待原子键不能再压缩传力时，抗力不增，开始向周边晶格传力，出现小的变形，显示出短暂的混沌临界顺碎段，紧接着引起周边晶格原子键拉长，抗力增大，键受损并出现裂纹，转向45°倾斜开裂，键断裂，碎裂程度大、面积广，得到细碎硅粉粒。2.2 劈击碎裂

【参考文献】：
期刊论文
[1]硅粉品质优化技术[J]. 常森,余敏.  有机硅材料. 2019(03)
[2]硅粉反应活性与对撞粉碎效用[J]. 常森,周功均,余敏.  有机硅材料. 2017(01)



本文编号：3285790