隐身-透波一体化Si 3 N 4 基陶瓷材料的制备与结构设计

发布时间：2022-02-10 01:08

　　随着电磁干扰技术的广泛应用,对具有“带内透波,带外隐身”特性的陶瓷材料提出了迫切的需求,期望该类材料对于天线工作频点以外频率的干扰信号不透明。常规介质材料的电磁学特性由材料本身决定,电磁透明的窗口不能被调控,无带外抑制功能,不利于电子对抗、隐身等功能的实现,因此需要研究特殊结构及特性的隐身-透波一体化陶瓷材料。本文以硅粉为原料,Sm₂O₃为烧结助剂,α-Si₃N₄为稀释剂,利用一次气氛压力烧结结合二次微波烧结法制备了多孔氮化硅陶瓷,材料具有长柱状β相氮化硅交织的微观结构,气孔率小于78%,介电常数可在2.5-8之间调节,当加入含量为30wt.%的稀释剂时,可有效降低反应温度,控制其晶粒尺寸小于1μm。进一步优化了多孔氮化硅陶瓷的孔结构,以α-Si₃N₄为原料,Y2O3和Al2O3为烧结助剂,水为升华介质,采用冷冻干燥法工艺获得了孔道结构可控的多孔氮化硅陶瓷,所制备材料的介电常数在1.4-4.0之间可调控,并形成了枝晶主结构和长柱状β相氮化硅结合的定向孔结构... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省211工程院校985工程院校

【文章页数】：155 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

常见介电损耗型吸波材料的电性能对吸收系数的影响

图 1-2 晶格掺杂 SiCk 吸收剂晶体结构模拟图[100-104]uctures of lattice doping SiC absorbers（a）B doping SiC（（c）Al doping SiC（d）Ni doping SiC图 1-3 钛酸钡晶体结构Fig. 1-3 Crystal structure of barium titanate

图 1-2 晶格掺杂 SiCk 吸收剂晶体结构模拟图[100-104]rystal stuctures of lattice doping SiC absorbers（a）B doping SiC（b）N d（c）Al doping SiC（d）Ni doping SiC

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本文编号：3617971