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锆钛酸铅基反铁电陶瓷的储能性能及电卡效应的研究

发布时间:2022-02-12 20:54
  随着科学技术的快速发展,反铁电材料成为国际上研究的新热点之一。掺杂改性的PbZrO3基反铁电材料在电场诱导下,在铁电相变化到反铁电相过程中,产生相当大的应变,利用其大的应变性可以制造微机械电子器件,如传感器与驱动器。此外,这类材料可以应用于高能储存器件,介电调谐器件等。本文以反铁电材料为研究对象,通过多种表征方法对材料性能进行了研究,主要从以下四个方面进行分析:第一,通过高温固相法制备(Pb1-3x/2Lax)(Zr0.95Ti0.05)O3(x=0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)陶瓷。在温度范围为26-650oC,以频率和温度作为相关变量,对陶瓷的介电和阻抗性能进行测试。在介电温谱中出现相变峰,而样品的居里温度随着镧含量的增加而降低;在电滞回线中观察到相变过程,随着镧含量的增加,减小了铁电性的相变温度范围。研究了高温介电异常现象和氧空位的之间的关联,根据Arrhenius定律,从活化能方面分析了产生高温介电弛豫的机制... 

【文章来源】:广东工业大学广东省

【文章页数】:77 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

锆钛酸铅基反铁电陶瓷的储能性能及电卡效应的研究


铁电体的电滞回线

电滞回线,极化强度,自发极化,磁畴


3图 1.2 双电滞回线Fig. 1.2 The double hysteresis loop具有自发极化,且自发极化可在电场作了极化强度 P 与电场强度 E 的之间的变化性,人们常把电滞回线作为判断材料是ic domain) 是人们借用磁畴的概念,把晶

介电损耗,样品


15图 3.3 不同频率下(Pb1-3x/2Lax)(Zr0.95Ti0.05)O3陶瓷的介电损耗随着温度的变化0 kHz 下所有样品, (b) x = 0.02, (c) x = 0.04, (d) x = 0.06, (e) x = 0.08, (f) x = 0Fig.3.3 Variation of the loss tanδ as function of temperature for thex/2Lax)(Zr0.95Ti0.05)O3at various frequencies: (a) all samples at 10 kHz, (b) x = 0x = 0.04, (d) x = 0.06, (e) x = 0.08, (f) x = 0.10

【参考文献】:
期刊论文
[1]铁电材料中的大电卡效应[J]. 鲁圣国,唐新桂,伍尚华,ZHANG Qi-Ming.  无机材料学报. 2014(01)
[2]微波介质陶瓷的介电损耗研究进展[J]. 黄现礼,由佰玲,宋英,王福平.  材料科学与工艺. 2007(04)

博士论文
[1]掺杂PbZrO3基薄膜相变行为及储能性能与电热效应[D]. 叶茂.哈尔滨工业大学 2013



本文编号:3622362

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