SiO 2 疏松体高温脱羟过程数值模拟（续）

发布时间：2022-02-13 16:55

　　<正>3.2脱羟过程主要参数变化图5所示为熔制过程中SiO₂疏松体平均温度（T_a）和平均孔隙率（φ_a）随时间的变化曲线。可以看出,疏松体平均温度的升高趋势和图3所示的顶面升温曲线保持一致。在10h时顶面温度为1 000℃,疏松体平均温度为997.5℃,两者较为接近。这是由于高温下辐射换热较为强烈,顶面的高温很快传递到疏松体内部。由于35h之前疏松体还未烧结,所以φ_a保持初始值不变。在35h以后,疏松体开始发生烧结,φ_a开始下降。当脱羟进行到76.3h时,疏松体全部烧结为石英锭,此后随着温度升高石英锭的孔隙率维持在设定的最低值0.01。 

【文章来源】：玻璃搪瓷与眼镜. 2020,48(01)

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

熔制过程中SiO2疏松体平均温度（Ta）和平均孔隙率（φa）随时间的变化

图6和图7分别展示了不同时刻SiO2疏松体内部（即图2所示SiO2疏松体区域）的温度及孔隙率的分布情况。图7 不同时刻SiO2疏松体内部孔隙率的等值线分布

图6 不同时刻SiO2疏松体的温度分布（单位：℃）从图6可以看出，不同时刻下的等温线分布几乎相同。在10～70h时间段内，由于升温速率较慢，每个时刻下的疏松体内部温差非常小，不超过1℃。在70h以后升温速率加快，76.2h时疏松体最大温差约为5℃。在当前模型中孔隙率是由温度决定的，因此孔隙率与温度的分布规律相似。从图7可以看出，前3个时刻下孔隙率的等值线分布也几乎相同，且孔隙率的差值很小。在76.2h时，疏松体上部的温度已经超过了1 400℃，从76.2h时刻的孔隙率分布可以看出，疏松体上部已经降到了最小孔隙率，且疏松体底部为最后烧结的区域。

【参考文献】：
期刊论文
[1]石英玻璃及其水晶原料中羟基的研究[J]. 周永恒,顾真安.  硅酸盐学报. 2002(03)

博士论文
[1]石英玻璃及原料中羟基的研究[D]. 周永恒.中国建筑材料科学研究院 2002



本文编号：3623567