低温CVD法制备石墨烯的研究进展（英文）

发布时间：2022-11-06 08:58

　　石墨烯是一种由sp~2杂化碳原子组成的二维碳纳米材料。由于其特殊的性质,在世界范围内引起了广泛的关注和研究。化学气相沉积法（CVD）是制备石墨烯最有效、最常用的方法。然而,传统的CVD石墨烯生长温度非常高（1 000℃）,这不仅使得石墨烯制备成本高,而且限制了其在某些领域的应用。因此,低温下石墨烯的合成是目前研究者关注的焦点。前驱体类型（气态、液态、固态）和衬底类型（过渡金属、合金、介质衬底）是影响石墨烯合成温度的重要因素。本文将从以上几个方面对低温条件下CVD合成石墨烯的研究结果进行综述。 

【文章页数】：16 页

【文章目录】：
1 Introduction
2 Influence factors of graphene grow th at low temperature
    2.1 The type of precursor
        2.1.1 Gaseous precursor
        2.1.2 Liquid precursor
        2.1.3 Solid precursor
    2.2 The type of substrate
        2.2.1 Transition metal
        2.2.2 Alloy
        2.2.3 Dielectric substrate
3 Recent research w ork
4 Summary and outlook


【参考文献】：
期刊论文
[1]Synthesis of graphene on a Ni film by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition[J]. QI JunLei 1,ZHANG LiXia 1,CAO Jian 1,ZHENG WeiTao 2,WANG Xin 2 ＆ FENG JiCai 1 1 State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining,Department of Materials Science and Engineering,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China;2 Department of Materials Science,Key Laboratory of Mobile Materials,Ministry of Education,and State Key Laboratory of Superhard Materials,Jilin University,Changchun 130012,China.  Chinese Science Bulletin. 2012(23)



本文编号：3703217