基于楔形基板沉积碳纳米管薄膜的实验研究

发布时间：2023-03-05 13:05

　　分析表明,不同于传统硅基电子器件依靠CMOS工艺对性能进行调控,未来极具潜力的碳基电子器件,以碳纳米管薄膜晶体管为例,其性能主要取决于碳纳米管薄膜的成膜质量,尤其是形成薄膜的碳纳米管的取向与排列。提出一种基于楔形基板的成膜方案,讨论溶液蒸发过程中碳纳米管的取向与排列,分析碳纳米管溶液表面的蒸发现象,对比楔形基板的控制参数。基于显微镜观测的碳纳米管薄膜图像表明,通过楔形基板配合溶液法制备定向排列的碳纳米管薄膜是可能的。

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 分析讨论
    2.1 理论分析
    2.2 模型模拟
    2.3 楔形基板参数调控
3 总结



本文编号：3756247