基于不同温度和激光功率下的Bi 2 Se 3 单晶拉曼光谱研究

发布时间：2023-04-29 21:31

　　硒化铋(Bi₂Se₃)是一种优良的热电材料,热电优质系数高,一直是热电材料领域的重要研究对象。近年来的研究又发现,Bi₂Se₃是一种新型三维拓扑绝缘体材料,由于其毒性低、易合成、能带结构简单,能隙大(0.3 eV,等价于3600 K),在自旋电子器件、超导体、光学器件和室温低能耗电子器件方面有巨大应用前景。本文采用布里奇曼法制备Bi₂Se₃单晶。以高纯度(5N)的Bi₂Se₃粉末为原料,通过优化设计生长温场,制备出一组Bi₂Se₃单晶样品。然后根据几何淘汰规律,并通过多次试验,优化了生长石英安瓿,再以高纯度(5N)的Bi₂Se₃粉末,并在其中掺入5%的Se粉为原料,制备出第二组Bi₂Se₃单晶。X射线衍射仪、扫描电子显微镜和拉曼光谱测试表明,两组样品均为沿[001]方向生长的Bi

【文章页数】：45 页

【学位级别】：硕士

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摘要
Abstract
第1章 前言
    1.1 Bi₂Se₃简介
    1.2 Bi₂Se₃单晶结构
    1.3 Bi₂Se₃单晶制备
        1.3.1 Bi₂Se₃单晶制备方法
        1.3.2 Bi₂Se₃单晶工艺研究进展
    1.4 Bi₂Se₃单晶的拉曼光谱研究进展
    1.5 论文选题目的和研究内容
第2章 Bi₂Se₃单晶的生长工艺及性能表征
    2.1 Bi₂Se₃单晶生长温场设计
    2.2 石英安瓿优化
    2.3 Bi₂Se₃单晶制备
    2.4 Bi₂Se₃单晶性能表征
        2.4.1 XRD测试
        2.4.2 拉曼光谱原理及表征
        2.4.3 微观形貌及成分分析
    2.5 小结
第3章 不同温度和激光功率下的Bi₂Se₃单晶拉曼光谱
    3.1 不同温度下的Bi₂Se₃单晶拉曼光谱
    3.2 不同激光功率下的Bi₂Se₃单晶拉曼光谱
    3.3 小结
第4章 结论与展望
参考文献
致谢
在学期间的科研情况



本文编号：3805780