二维材料MoS 2 和MoS 2x Se ( 2(1-x))的制备及其光学性能的研究

发布时间：2023-05-07 00:09

　　二维过渡金属硫族化合物(TMDs)因其独特的结构和优异的光电性能而备受关注。在光电子领域的应用中,丰富的带隙是必不可少的。但是,TMDs材料的带隙种类却十分有限,因此,TMDs的带隙工程成为研究的热点之一。研究发现,TMDs的合金化能调控该材料的带隙,达到丰富TMDs带隙的目的。本论文以氯化钠辅助化学气相沉积法为手段,探究了单层二硫化钼(MoS₂)的可控生长。然后在其基础上实现了可调带隙的单层硒硫化钼合金(MoS_2xSe₍2(1-x)))的制备并对其光致发光性能进行了研究。具体研究内容如下:(1)通过探究影响单层MoS₂晶体生长的四个因素:生长温度、反应物的用量、衬底的种类和辅助生长剂NaCl的用量,从而寻找到NaCl辅助CVD法制备单层MoS₂晶体的最佳生长条件。并对最佳生长条件下制备的样品进行了光学显微镜、拉曼光谱等表征,结果表明,该生长条件下制备的样品为单层MoS₂晶体。在熔融玻璃衬底上,单个MoS₂晶体的尺寸可达400μm,S...

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【学位级别】：硕士

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致谢
中文摘要
ABSTRACT
1 绪论
    1.1 引言
    1.2 二维过渡金属硫族化合物的结构与性能
        1.2.1 二维过渡金属硫族化合物的结构
        1.2.2 二维过渡金属硫族化合物的光学性能
        1.2.3 二维过渡金属硫族化合物的电子学性能
        1.2.4 二维过渡金属硫族化合物的机械性能
    1.3 二维过渡金属硫族化合物的应用
        1.3.1 电子领域的应用
        1.3.2 能源领域的应用
        1.3.3 传感器领域的应用
    1.4 二维过渡金属硫族化合物及其合金的制备方法
        1.4.1 二维过渡金属硫族化合物的制备
        1.4.2 二维过渡金属硫族化合物合金的制备方法
    1.5 本文选题依据及主要研究内容
2 氯化钠辅助CVD法制备单层二硫化钼的研究
    2.1 本章引论
    2.2 实验部分
        2.2.1 实验原理及方案
        2.2.2 实验试剂和仪器
        2.2.3 实验流程
    2.3 单层二硫化钼最佳生长条件的研究
        2.3.1 生长温度对二硫化钼生长的影响
        2.3.2 反应物的用量对二硫化钼生长的影响
        2.3.3 不同种类的衬底对二硫化钼生长的影响
        2.3.4 氯化钠用量对二硫化钼生长的影响
    2.4 二硫化钼的生长质量分析
    2.5 本章小结
3 氯化钠辅助CVD法制备单层硒硫化钼合金的研究
    3.1 本章引论
    3.2 实验部分
    3.3 硒硫化钼合金的生长质量分析
    3.4 硒硫化钼合金的带隙调控
    3.5 本章小结
4 结论
参考文献
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果
学位论文数据集



本文编号：3809867