反应时间和温度对二氧化钒薄膜生长影响研究

发布时间：2023-05-07 06:25

　　该文采用一种新型的气-固(VS)生长法合成了高质量、大面积的二氧化钒(Vanadium Oxide,VO₂)薄膜。在该合成反应过程中,VO₂薄膜生长的质量受诸多因素的影响。比如,生长温度、时间和气压,惰性载入气体流速,前躯体的数量,以及衬底的种类和位置等。文中系统地研究了生长时间和温度对VO₂薄膜生长质量的影响,并对其进行了优化调控。利用扫描电子显微镜对该VO₂薄膜进行的形貌分析表明,该VO₂薄膜是由尺寸不一的晶粒连接而成的多晶界薄膜,表面具有较高的平整度。单晶尺寸最大可达120μm,平均尺寸40μm。

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【文章目录】：
0 引言
1 实验部分
    1.1 实验概述
    1.2 实验过程
2 实验结果与分析
    2.1 生长温度对薄膜厚度的影响
    2.2 生长时间对薄膜厚度的影响
3 实验结果的测试
    3.1 VO2薄膜的电阻随温度变化的测试
    3.2 VO2薄膜的X射线衍射测试
4 结论



本文编号：3810460