不同制备条件对硅纳米线的形貌和反射率影响

发布时间：2023-05-12 20:18

　　利用两步法-金属辅助化学刻蚀法(metal-assisted chemical etching, MACE)制备硅纳米线(silicon nanowires,SINWs)样品。研究了刻蚀温度、刻蚀时间、过氧化氢(H₂O₂)浓度对样品SINWs的形貌和反射率影响。研究发现,随着刻蚀时间增加, SINWs样品的长度随之增加,而反射率降低。H₂O₂浓度提高, SINWs样品的长度也增加,在浓度为0.1 mol/L时反射率降至最低。刻蚀温度升高, SINWs样品的长度先增加,然后随着SINWs生长速率变快的同时样品的形貌结构遭到破坏,反射率呈总体上升趋势。实验结果表明,改变制备过程中的反应条件,对SINWs的形貌会具有较大影响,同时SINWs阵列的反射率也会改变。SINWs的反射率强烈依赖于SINWs的长度、规整程度和空隙率大小等。

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【文章目录】：
0 引言
1 实验部分
2 结果与讨论
    2.1 刻蚀温度对SINWs形貌和反射率影响
    2.2 刻蚀时间对SINWs形貌和反射率影响
    2.3 不同过氧化氢(H2O2)浓度对SINWs形貌和反射率影响
3 结论



本文编号：3814565