太阳能电池用原子层沉积超薄氧化硅技术研究

发布时间：2023-05-13 18:38

　　从高效太阳能电池结构要求出发,分析了超薄氧化层的作用,在自研设备的基础上,采用强氧化性的O₂等离子体与硅前驱体进行了PEALD沉积研究。在源瓶温度80℃、沉积温度200℃的工艺条件下,薄膜单循环沉积速率达到0.12 nm。对沉积的氧化硅进行致密性HF腐蚀测试,腐蚀速率为4.8 nm/min。薄膜致密性已接近热氧化法制备的氧化硅薄膜。

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【文章目录】：
1 原子层沉积技术
    1.1 原子层沉积技术的原理
    1.2 ALD技术的特征及优势
2 实验
    2.1 实验装置
    2.2 SiO2的PEALD沉积工艺
3 实验结果和讨论
4 结论



本文编号：3816289