二维过渡金属硫化物的制备及其催化析氢性能研究
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【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图1.1元素周期表中过渡金属硫化物中各元素所在位置,其中由标亮的元素组成的硫化物其晶体结构为层状,而由半标亮的元素组成的硫化物只部分为层状结构[14]
中国石油大学(北京)硕士专业学位论文-3-图1.1元素周期表中过渡金属硫化物中各元素所在位置,其中由标亮的元素组成的硫化物其晶体结构为层状,而由半标亮的元素组成的硫化物只部分为层状结构[14]Fig.1.1ThepositionofelementsofTMDsinthePerio....
图1.2(a)TMDs结构示意图(以MoS2为例);(b)TMDs三种晶胞类型模型[16]
第1章绪论-4-图1.2(a)TMDs结构示意图(以MoS2为例);(b)TMDs三种晶胞类型模型[16]Fig.1.2ThestructurediagramofTransition-metaldichalcogenide(a);ThreecrystalstructuresofT....
图1.3CVD法制备过渡金属硫化物示意图[20]
中国石油大学(北京)硕士专业学位论文-5-MoSe2、WS2及WSe2纳米片[21]。化学气相沉积(CVD)法操作较为简单,可控性强,适用于多种二维材料的剥离制备,如石墨烯、氮化硼及过渡金属硫化物等。但使用化学气相沉积(CVD)法制备二维材料时造价较高,产量较低,而且难以精确地控....
图1.4MBE法制备的MoS2(a)、PtSe2(b)、MoSe2(c)及其微观示意图[26]
第1章绪论-6-生长在其上的薄膜由于相互作用难以观测及表征。而现阶段采用MBE法制备TMDs等二维材料最为普遍的方式是在SiC等惰性衬底上制备石墨烯等二维材料。由MBE制备的二维过渡金属硫化物纳米片,可以严格控制生长外延层的层厚和掺杂浓度,但其体系复杂,生长速度较慢,生长面积有限....
本文编号:3967161
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