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二硫化钨的合成及其光电特性研究

发布时间:2025-03-02 16:29
  二硫化钨(WS2)作为过渡金属硫化物(TMDCs)中的代表之一,因其拥有优良的电学、光学和光催化等特性被人们广泛的关注与研究。单层WS2继承了石墨烯高迁移率,透明柔性等特性,同时较宽的带隙也弥补了石墨烯零带隙的缺陷,使WS2拥有较高的开关特性,在电子器件领域拥有广阔的发展前景。论文采用低压化学气相沉积法(CVD)制备WS2薄膜,在实验过程中探寻载气流量、压强、硫源加热温度和基底摆放位置等因素对薄膜质量的影响。寻找最佳合适条件,并利用光学显微技术、拉曼技术和原子力显微技术对制备的薄膜进行表面表征和物质鉴定。结果显示薄膜品质优良,面积大且表面均匀。将制备出的WS2薄膜转移到新基底用于制备WS2光电探测器。我们通过测试发现WS2器件拥有较好的光电响应特性。同时我们补充了器件工作的波段范围,将其延伸到可见光范围内,结果发现在640nm波长下器件的响应度最高,最有利于器件的节能减耗,更有利于光电响应现象的观察。而在430nm波段下器件的量子效率最...

【文章页数】:63 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

图1.1WS2单层结构

图1.1WS2单层结构

图1.1WS2单层结构[20]WS2由于层与层之间原子不同的堆叠方式,可以分为三种体相结构:1T1T相是具有金属性的八面体配位的四方晶系,而2H相则是具有半导体层与层之间按照1212的方式堆叠。3R相属于斜方对称晶系,其W原,属于三棱柱配位,但是其层间堆叠....


图1.2单层WS2的能带图

图1.2单层WS2的能带图

图1.2单层WS2的能带图[22]图1.3WS2固体能带图[22].3WS2的研究进展.3.1WS2的FET特性研究WS2拥有良好的迁移率,且其少层时表现出较好的柔软性、透明性和延展性,作为柔显示屏或电子器件的基础材料,拥有极好的发展前景。目前,WS2薄膜....


图1.3WS2固体能带图

图1.3WS2固体能带图

图1.2单层WS2的能带图[22]图1.3WS2固体能带图[22].3WS2的研究进展.3.1WS2的FET特性研究WS2拥有良好的迁移率,且其少层时表现出较好的柔软性、透明性和延展性,作为柔显示屏或电子器件的基础材料,拥有极好的发展前景。目前,WS2薄膜....


图1.4WS2场效应晶体管结构

图1.4WS2场效应晶体管结构

暨南大学硕士学位论文电子聚集在薄膜上部,但是由于上部薄膜和源漏电极接触,S2上表面,而不能在上表面形成导电沟道,所以在施加源漏流并不会发生明显变化。通过给栅极施加正负相反的电压就变大或者维持较小数值,这就是电子开关器件的最基本性能代替硅的一个重要因素。



本文编号:4034551

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