高压热处理AlN陶瓷晶体的生长动力学

发布时间：2017-07-14 08:16

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【摘要】：利用国产六面顶压机,对AlN(Y_2O_3)陶瓷进行了高压(5.0 GPa)热处理,对高压热处理AlN陶瓷的宏观动力学进行了研究。结果表明:超高压热处理时,温度越高、热处理时间越长,AlN晶粒粒径越大,晶体结构越完整。动力学分析表明,在热处理温度范围内(970~1210℃),AlN晶体生长动力学指数为3,晶体生长激活能为(50.6±9.6)k J/mol。高压热处理时,AlN试样内部物质迁移的主要机制是压力强化的体积扩散。
【作者单位】： 河南理工大学材料科学与工程学院;吉林大学超硬材料国家重点实验室;
【关键词】： 高压热处理 AlN陶瓷 动力学 晶体生长
【基金】：国家自然科学基金(51001042) 吉林大学超硬材料国家重点实验室开放项目 河南理工大学博士基金(B2009-31)
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】： 陶瓷材料中,Al N具有很高的热导率,仅次于Si C和Be O,机械强度和介电强度都优于Al2O3陶瓷,膨胀系数、介电性能分别与单晶硅和Al2O3陶瓷相近,因此在电力电子领域越来越多的替代氧化铍或氧化铝陶瓷做高密度、高性能电子封装的陶瓷基板材料[1]。A1N晶体的理论热导率为320 W/(m·K

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本文编号：540327