射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜

发布时间：2017-12-29 00:03

  本文关键词：射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜　出处：《金属学报》2016年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了制备工艺对薄膜二次电子发射系数及耐电子束轰击能力的影响.结果表明,薄膜厚度对其耐电子束轰击能力有显著影响,随着薄膜厚度的增加,耐电子束轰击能力明显增强,而射频反应溅射沉积可通过调整镀膜时间获得不同厚度的MgO薄膜.射频反应溅射的氧分压比对MgO薄膜表面质量有较大影响,随着沉积过程中氧分压比增大,MgO薄膜表面粗糙度增大,不利于二次电子发射.CoO掺杂改善了MgO薄膜表面质量,使其表面更加平整、光滑,提高了薄膜的二次电子发射系数,而且降低了薄膜表面质量对氧分压比变化的敏感性.550℃真空热处理1h使CoO掺杂的MgO薄膜发生热分解失氧且表面质量变差,导致二次电子发射系数大幅下降.在沉积过程中,提升基片温度或提高氧分压,会使薄膜中存在金属态Mg且薄膜表面质量变差,使二次电子发射系数小幅下降.
[Abstract]:......
【作者单位】： 中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所核用材料与安全评价重点实验室;
【分类号】：TG174.4
【正文快照】： Mg O薄膜以其优良的二次电子发射性能,广泛应用于光电倍增管及电子倍增器打拿极材料.作为打拿极二次电子发射层的Mg O薄膜,最初是通过高温控压氧化激活Ag Mg合金,在其表面形成Mg O二次电子发射薄膜的方法制备.国内外研究工作者对Ag Mg合金激活工艺进行了深入研究[1~4],结合本

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1 刘伟;王金淑;高非;任志远;周美玲;;稀土-钼阴极二次电子发射性能研究[J];稀有金属材料与工程;2011年08期

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本文编号：1347957