用碱性抛光液化学机械抛光304不锈钢片研究
本文选题:不锈钢 + 碱性抛光液 ; 参考:《金刚石与磨料磨具工程》2016年02期
【摘要】:为提高化学机械抛光的加工效果,我们研究了pH值、氧化剂种类和氧化剂含量对材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明:不同氧化剂的抛光液在各自的最佳pH值时达到最大的材料去除率,分别为181nm/min(H_2O_2抛光液,pH=9),177nm/min(Cr_2O_3抛光液,pH=11),172nm/min(Na2Cr_2O_7抛光液,pH=11)和147nm/min(NaClO抛光液,pH=13);抛光液中氧化剂含量、pH值对抛光后不锈钢的表面粗糙度影响较小。其中,材料去除率较高的H_2O_2和Cr_2O_3可作为304不锈钢化学机械抛光碱性抛光液的氧化剂。
[Abstract]:In order to improve the processing effect of chemical-mechanical polishing, we studied the effects of pH value, oxidant type and oxidant content on the material removal rate and surface roughness. The results showed that the maximum material removal rate was obtained at the optimum pH value of different oxidants. The results are as follows: 181nm/min (H _ 2O _ 2 polishing solution pH ~ (9) and 177nm 路min ~ (-1) ~ (-1) ~ (17) nm / min) (Na _ 2Cr _ 2O _ 7 polishing solution pH ~ (11) and 147nm/min (NaClO) polishing solution pH ~ (13). The effect of oxidant content and pH value in polishing solution on surface roughness of polished stainless steel is less. Among them, H _ s _ S _ 2O _ 2 and Cr _ S _ 2O _ 3, which have higher material removal rate, can be used as oxidant of alkaline polishing solution for chemical and mechanical polishing of 304 stainless steel.
【作者单位】: 河南科技学院机电学院;驻马店技师学院机械工程系;河南理工大学机械与动力工程学院;
【基金】:国家自然科学基金面上项目(No.51375149)
【分类号】:TG175.1;TG580.692
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 ;化学机械抛光[J];表面工程资讯;2005年04期
2 宋晓岚;李宇q;江楠;屈一新;邱冠周;;化学机械抛光技术研究进展[J];化工进展;2008年01期
3 ;适于高精度平面化的化学机械抛光方法[J];电镀与涂饰;1999年03期
4 李秀娟,金洙吉,苏建修,康仁科,郭东明;铜布线化学机械抛光技术分析[J];中国机械工程;2005年10期
5 张朝辉,雒建斌,温诗铸;化学机械抛光特性的应力偶模拟[J];计算力学学报;2005年02期
6 李长河;;化学机械抛光技术[J];现代零部件;2006年03期
7 廉进卫;张大全;高立新;;化学机械抛光液的研究进展[J];化学世界;2006年09期
8 王永光;赵永武;;基于分子量级的化学机械抛光界面动力学模型研究[J];摩擦学学报;2007年03期
9 张振宇;郭东明;康仁科;高航;李岩;;软脆功能晶体碲锌镉化学机械抛光[J];机械工程学报;2008年12期
10 李军;左敦稳;朱永伟;孙玉利;王军;;无磨料化学机械抛光的研究进展[J];机械制造与自动化;2008年06期
相关会议论文 前10条
1 雷红;;化学机械抛光技术及其在电子制造中的应用[A];2009年全国电子电镀及表面处理学术交流会论文集[C];2009年
2 常敏;袁巨龙;楼飞燕;王志伟;;化学机械抛光技术概述[A];全国生产工程第九届年会暨第四届青年科技工作者学术会议论文集(二)[C];2004年
3 牛新环;刘玉岭;檀柏梅;马振国;;蓝宝石衬底化学机械抛光的机理研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年
4 魏昕;熊伟;袁慧;杜宏伟;;化学机械抛光机理的建模分析[A];全国生产工程第九届年会暨第四届青年科技工作者学术会议论文集(二)[C];2004年
5 谢华杰;陈治明;杨莺;;碳化硅化学机械抛光工艺[A];中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集[C];2008年
6 徐进;雒建斌;路新春;潘国顺;;硅片化学机械抛光碰撞去除机理研究[A];人才、创新与老工业基地的振兴——2004年中国机械工程学会年会论文集[C];2004年
7 王永光;白静;赵永武;顾坚;;化学机械抛光的三体微观接触模型[A];2006全国摩擦学学术会议论文集(一)[C];2006年
8 赵雪松;;脉冲电化学机械抛光工具设计及其应用[A];第十届全国特种加工学术会议论文集[C];2003年
9 方亮;赵蓉;任小艳;雷红;陈入领;;无磨粒化学机械抛光的研究进展[A];第十一届全国摩擦学大会论文集[C];2013年
10 张伟;路新春;刘宇宏;雒建斌;;氨基乙酸-H_2O_2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究[A];第八届全国摩擦学大会论文集[C];2007年
相关重要报纸文章 前1条
1 通讯员 刘静;我市又一国际合作项目顺利通过科技部验收[N];廊坊日报;2012年
相关博士学位论文 前10条
1 边燕飞;铜与钌电化学机械抛光及其特性的研究[D];哈尔滨工业大学;2014年
2 王彩玲;300mm硅片化学机械抛光设备及其关键技术研究[D];大连理工大学;2010年
3 陈晓春;化学机械抛光试验及其材料去除机理的研究[D];江南大学;2014年
4 刘敬远;硅片化学机械抛光加工区域中抛光液动压和温度研究[D];大连理工大学;2009年
5 宋晓岚;纳米SiO_2浆料中半导体硅片的化学机械抛光及其应用研究[D];中南大学;2008年
6 曾旭;新型铜互连扩散阻挡层钌、钌钽合金、钼基薄膜的化学机械抛光性能研究[D];复旦大学;2013年
7 孙禹辉;硅片化学机械抛光中材料去除非均匀性研究[D];大连理工大学;2011年
8 蒋建忠;芯片化学机械抛光过程中材料吸附去除机理的研究[D];江南大学;2009年
9 余剑峰;新型化学机械抛光垫和抛光液的研究[D];华南理工大学;2010年
10 徐驰;基于摩擦力在线测量的化学机械抛光终点检测技术研究[D];大连理工大学;2011年
相关硕士学位论文 前10条
1 张念民;铌酸锂晶体纳米压痕及化学机械抛光研究[D];大连理工大学;2015年
2 段波;新型铜互连阻挡层材料Ru的CMP研究[D];河北工业大学;2015年
3 梁淼;铜互联阻挡层新材料锇的化学机械抛光研究[D];安徽工业大学;2014年
4 程海丰;超薄柔性显示衬底Roll-to-Roll化学机械抛光机研制[D];河南工业大学;2015年
5 胡坤;超薄304不锈钢片Roll-to-Roll固结磨料化学机械抛光辊研制[D];河南工业大学;2015年
6 刘志响;SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制[D];河南理工大学;2014年
7 刘金泉;化学机械抛光中温度场的计算[D];北京交通大学;2007年
8 连军;超大规模集成电路二氧化硅介质层的化学机械抛光技术的研究[D];河北工业大学;2002年
9 俞栋梁;铜化学机械抛光工艺的抛光液研究[D];上海交通大学;2007年
10 章建群;非接触化学机械抛光的材料去除机理研究[D];北京交通大学;2008年
,本文编号:2112341
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jiagonggongyi/2112341.html