化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究

发布时间：2018-11-17 16:47

【摘要】：本研究结合CVD(chemical vapor deposition,CVD)-W材料实际应用对其性能及组织结构的要求,详细讨论了随生长阶段的变化CVD-W晶体生长习性,获得了CVD-W表面形貌-晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的关系,为CVD-W材料及技术在半导体行业及相关高温发热及防护领域中的应用和推广提供了借鉴。
[Abstract]:According to the requirements of CVD (chemical vapor deposition,CVD)-W material for its properties and microstructure, the growth habits of CVD-W crystals with the growth stage are discussed in detail. The relationship between the surface morphology, grain growth size and surface roughness of CVD-W is obtained, which provides a reference for the application and popularization of CVD-W materials and technology in semiconductor industry and related high temperature heating and protection fields.
【作者单位】： 国家钨材料工程技术研究中心厦门钨业股份有限公司;
【基金】：中国博士后科学基金第56批面上项目(2014M561867)
【分类号】：TG146.411

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本文编号：2338478