当前位置:主页 > 科技论文 > 铸造论文 >

稀土Nd、Tb对Fe-Ga磁致伸缩合金性能的影响

发布时间:2020-04-22 16:23
【摘要】:作为全新的磁致伸缩材料,Fe-Ga合金与传统稀土超磁致伸缩合金Terfenol-D等材料而言,具有较大的优势,其饱和磁场低,加工性能好,适用温度范围宽,且价格低廉,仅为Terfenol-D的1/3。为了深入了解Fe-Ga合金的性能,找出合金的物理特性、形成机制及其他属性,同时尝试对其他应用性能进行改变,我们做了以下研究工作,文章首先对Fe-Ga合金的发展状况、应用状况及磁致伸缩等基础原理进行了简要概述,重点阐述并分析了二元Fe100-xGax(x=16、17、18、19、20)合金和三元Fe(82-x)Ga18Mx(M=Nd、Tb,x=2、4、6)合金的磁致伸缩系数以及饱和磁化强度,维氏硬度等。通过对合金样品的检测和分析,我们发现Fe-Ga合金的结构指的是无序BCC架构,当掺杂了 Ga原子后,会先填充Ga原子110方向,Ga的含量达到18at%时(110),饱和度会不断提高,随着Ga原子含量的增加开始在(200)方向进行填充。添加了 Ga元素后,会改变晶格的内部架构,合金内部的缺陷问题会先缩小再扩大。在合金中,有很多空位型缺陷存在,而开空间的缺陷体积通常会高于单空位的缺陷,并且当Ga含量不断增加时,开空间缺陷会不断减小。各类样品中,空位缺陷数要比开空间缺陷数多,样品缺陷的主要表现。随Ga含量的不断增加,Fe-Ga合金磁致伸缩系数会呈现出先增加后减小的状态,饱和磁化的强度会呈现出先减小再增加的状态,而当Ga含量达到18%时,就会出现拐点。当合金饱和磁化强度不断降低,磁致伸缩系数就会不断增大。随着Ga含量的不断增加,合金硬度并不会发生太大改变,而且总体趋势将呈现出不断增大的状态。当Ga含量达到20at%时,合金维氏的硬度前后并不会有太大区别,如果Ga浓度达到20at%后,那么维氏硬度就会得到显著提升。通过相关研究可以得知,添加了第三种元素后,可以有效提高样品磁致伸缩性,本论文选择了添加稀土元素Tb和Nd对Fe-Ga合金的相结构、磁致伸缩性能和维氏硬度的影响。元素Nd的添加,并没有改变基体的相结构,Fe(82-x)Ga18Ndx(x=2、4、6)合金是无序BCC结构,但是可以使合金的磁致伸缩性得到显著提升,其磁致伸缩系数总体大于Fe82Ga18合金。而随着Nd元素的增加,Fe(82-x)Ga18Ndx合金的磁致伸缩系数整体呈现先增大后减小的趋势。添加元素Nd后,合金饱和磁化强度有所下降,Fe80Ga18Nd2合金的饱和磁化强度要明显低于Fe82Ga18。合金的维氏硬度在添加元素Nd后有所改变,Fe78Ga18Nd4合金的硬度大于Fe82Ga18合金。元素Tb的添加是本文选择掺杂的第二种稀土元素,同样的Tb的添加,也没有改变基体的相结构,样品还是无序BCC结构,研究过程中发现添加稀土元素Tb后样品的磁致伸缩系数并没有增加,不过呈现了先增大后减小的趋势。Fe76Ga18Tb6合金的饱和磁化强度有较为明显的下降。添加元素Tb后整体上扩大了硬度,Fe78Ga18Tb4合金的硬度为最大。
【图文】:

结构图,电弧炉,真空,结构图


根据具体熔炼阶段进行适度调整。熔炼样品时,需从样品的正反两面进行三次熔炼操作,逡逑从而让样品中的原子能均匀扩散。熔炼完成后,因腔体温度过高,不易马上取出样品,逡逑待非自耗电弧炉仪器及实验样品均冷却后,方可将实验样品倒出炉外。下图2-2即为真逡逑空非自耗电弧炉的结构图。逡逑...逡逑I,逡逑—?<一a却水逡逑图2-2真空非自耗型电弧炉结构图逡逑Fig.2-2邋The邋chart邋of邋Non-consumable邋vacuum邋arc邋furnace逡逑(3)退火:退火将金属缓慢加热到一定程度,保持足够时间,,然后以适宜速度冷却逡逑的一种金属热处理工艺。是将金属样品退火处理采用的是GSL-1700X真空管式高温退火逡逑炉,对退火炉进行抽真空后,通氩气进去,在氩气的保护下对金属样品进行退火,从而逡逑扩散金属内的原子,并使得原子能均匀分布。退火时,金属样品保持700°C的温度,同逡逑时该过程需持续五天时间。逡逑15逡逑

示意图,双光子,示意图,湮没现象


自然界的能量和动力均保持守恒,因此不难理解,如果湮没现象出现之前,e+处于静止逡逑的话,湮没现象发生后,单个Y光子便具有51邋IkeV能量。这一湮没现象的双光子数值逡逑变化参见下图2-5。逡逑表2-2正电子与电子的基本属性逡逑Table邋2-2邋The邋Properties邋of邋Positron邋and邋Electron逡逑粒子类型逦静止质量kg逦自旋ft逦电荷e逡逑正电子逦9.11邋10'25逦'A逦1逦1逡逑奸逦9.11邋IQ25逦^^^逦逡逑由图2-6可知,当这个湮没现象产生的时候,22Na衰变其实是产生了两个分支的,逡逑但鉴于该数据比较偏理论层面,所以在实验当中,我们一般不采用该分支(注明:分支逡逑占比为89%的能量为0.545MeV,占比11%的能量为1.83MeV)。同时需要注意的是此次逡逑试验选用的正电子e+是由放射性同位素衰变而来,本次实验中,涉及到的放射性同位素逡逑e+?-^逦e'逦,2逦肩逡逑0.54Mev邋89%逦/逡逑(D逦^丨逡逑Nc激发态逦/逦/逡逑r逦v逦y逦1.83Mev逦11%逡逑,r邋',邋!8McV邋N逡逑^逦a逦Ne邋基态逡逑为,a源。逡逑图2-6双光子湮没示意图逦图2-7邋22邋Na的衰变图逡逑Fig.2-6邋Two-photon邋flooded邋schematic逦Fig.2-7邋The邋disintegration邋of邋22Na逡逑那我们是如何来标志正电子的产生的呢?我们知道一个正电子从原子中放出O喓

本文编号:2636698

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jiagonggongyi/2636698.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户886d6***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com