AZ91镁合金磁控溅射氮化铝膜的制备工艺及其性能研究
【学位单位】:内蒙古工业大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TG174.4
【部分图文】:
2.2 实验设备2.2.1 磁控溅射设备磁控溅射所有试样均使用JZCK-450型磁控溅射设备制备,设备实体如图2-1 所示。设备主要包括控制系统、真空系统、气压控制系统、温度控制系统、靶电源、真空室、冷却系统等。由于氮化铝为非导体,靶电源使用射频电源。试样台位于真空室上部,可以对试样进行加热,加热温度范围为室温 25℃到 300℃。样品台可旋转,旋转速率为 2~30 转/分。实验中通过冷却系统对真空室和真空系统进行冷却,冷却水水温控制在 25℃左右。图 2-1 磁控溅射设备Fig.2-1 The Equipment of magnetron sputtering2.2.2 其他设备(1)粗糙度检测设备:LSM700 激光共聚焦扫描显微镜。(2)结合力检测设备:WS-2005 涂层附着力划痕仪。(3)膜层表面、截面形貌观察设备:Sigma500AMCS 型场发射扫描电子显微镜。?
图 2-2 膜厚测量方法Fig.2-2 The measuring method of film thickness糙度检测激光共聚焦扫描显微镜测定膜层表面粗糙度,每个试样选取三个视上选取横三条、竖三条及对角线两条线共计八条线,取这八条线该视场的粗糙度值,取三处视场的平均粗糙度作为本组试样的粗合力检测力按照划网格法(ISO 2409)进行测定,使用 WS-2005 涂层划痕面划 10 乘 10 的网格后,使用胶带粘在膜表面然后取下胶带,毛刷观察交叉线附近膜层剥落情况并统计,使用画网格后膜未剥落的交比例乘以 100 表示结合力强弱。
150 200 250 30045678硬度/GPa温度/℃图 4-3 基底加热温度对膜层硬度的影响Fig.4-3 The influence of substrate heating temperature on the hardness of film.2.2 工艺参数对氮化铝膜层形貌、膜厚和组织的影响.2.2.1 氮化铝膜层的断面形貌分析图 4-4 为功率变化组 150W(Y10)和 200W(Y1)组试样脆断件断面的扫描照片,其中时间、温度和氩气/氮气工艺均为 4h、200℃和 1:1,功率分别为 150 200W。可以看出,氮化铝膜层均为柱状晶组成。
【参考文献】
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本文编号:2889822
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