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高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备氮化钛(TiN)薄膜的应力释放及其结合稳定性研究

发布时间:2021-11-07 22:20
  采用高功率脉冲磁控溅射技术(High power pulsed magnetron sputtering,HPPMS)制备的氮化钛(TiN)薄膜因其具有的众多优良性能,在工业领域中得到了广泛应用。但在TiN薄膜表面改性工件的实际应用中,研究者及生产者经常发现,薄膜沉积刚完成时,工件表面薄膜改性层是完整的,没有发生薄膜剥落,但是放置一段时间后,工件表面薄膜就会发生结合失效现象,导致零件无法继续使用。研究表明,高的残余应力是导致HPPMS制备的薄膜发生结合失效的主要原因。为了更好地进行产品质量控制,研究薄膜沉积完成后应力变化及结合稳定性,预估薄膜服役寿命,本文通过调控基体偏压制备出具有不同残余压应力的TiN薄膜,采用基片曲率法、X射线衍射法、划痕法、超显微硬度计、摩擦磨损试验机、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等手段,评价了薄膜的应力、薄膜/基体结合性能、硬度、耐磨损性、表面形貌和微观结构等随时间变化的规律。研究结果表明,在沉积完成后1小时内,-50V和-150V基体偏压下制备的TiN薄膜压应力分别在3.123.39GPa和7.407

【文章来源】:西南交通大学四川省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:66 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备氮化钛(TiN)薄膜的应力释放及其结合稳定性研究


划痕法示意图

趋势图,金薄膜,应力,趋势图


图 1-2 金薄膜应力随时间变化趋势图[47]之外,已有大量工作研究金属薄膜在沉积过程及停镀过程中的应力、Ag[49, 50]、Cu[46, 51, 52]、Au[49]、Al[44, 53]、Sn[54]等膜在生长终止后应力放,后期释放速率逐渐放缓的趋势。

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图 2-1 UBMS450 型高真空四靶非平衡 HPPMS 系统示意图本文采用四靶非平衡高功率脉冲磁控溅射设备(UBMS450 型)沉积氮化钛(T膜,整套设备构成如图 2-1 所示,基体选用 Si(100)长方形片及 316L 不锈钢圆

【参考文献】:
期刊论文
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博士论文
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硕士论文
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本文编号:3482496

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