活性屏等离子渗氮工艺中双重辉光放电下氮的输运机理
本文关键词:活性屏等离子渗氮工艺中双重辉光放电下氮的输运机理
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【摘要】:采用大尺寸铜质活性屏进行活性屏等离子渗氮处理,在距离活性屏不同位置处分别放置玻璃片,用来收集主电压和偏压同时存在时,即等离子空间处于双重辉光放电模式下阴极溅射产生的在渗氮过程中起到载体作用的纳米粒子。通过对粒子形貌、化学成分进行分析,以此揭示双重辉光放电条件下活性屏离子氮化工艺中氮的输运机理。实验结果表明:主电压和偏压同时存在时,离活性屏距离不同的玻璃片上收集到的粒子形状和尺寸与只加主电压时有所不同;且随着离活性屏距离的改变,粒子的形状、尺寸及化学元素含量都不相同,但粒子中氮元素的含量都很高。分析认为这是因为双重辉光放电条件下,活性屏和工件都会产生阴极溅射,因此收集到的溅射粒子的来源不同,一部分来源于活性屏溅射,而另一部分来源于偏压引起工件表面产生的自溅射,对于距离活性屏较远的工件来说,施加在工作台上上的偏压是活性氮原子从气相输运到工件表面的关键。
【作者单位】: 青岛理工大学机械工程学院;
【关键词】: 活性屏等离子渗氮 双重辉光放电 偏压 输运机理 渗氮载体
【基金】:国家自然科学基金项目(51307091)
【分类号】:TG156.82
【正文快照】: 自J.Georges[1-2]发明了活性屏离子渗氮(AS-PN)技术后便备受国内外学者们的关注,ASPN技术不仅可以达到和直流离子渗氮(DCPN)技术一样的处理效果,并能够解决传统DCPN技术存在的很多工艺及技术难题,甚至该技术可以对奥氏体不锈钢和高分子材料进行表面改性处理,所以ASPN被认为是
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