等径角挤压和单向轧制高纯Al再结晶晶界面的取向分布

发布时间：2017-08-23 06:41

  本文关键词：等径角挤压和单向轧制高纯Al再结晶晶界面的取向分布

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【摘要】：选用经多向锻造和再结晶退火的晶粒组织均匀(平均晶粒尺寸为20 mm)且取向均匀的高纯Al(99.99%)为原料,将2组平行样品分别进行等效应变e≈2的等径角挤压(ECAP)和单向轧制(DR)变形后,再经360℃再结晶退火8~90 min,利用基于体视学原理和电子背散射衍射技术(EBSD)的五参数分析法(FPA)对比研究了不同变形方式对高纯Al退火再结晶晶界面取向分布的影响.结果表明,经变形及360℃退火后,2组样品中其再结晶晶界面主要取向于低能稳定的{111},并主要对应于以111为转轴的大角度扭转晶界.ECAP与DR样品退火后的主要差异在于,前者再结晶晶界面取向于{111}的过程较迟缓;后者再结晶晶界面比较容易取向于{111}.分析指出,DR变形更容易使高纯Al再结晶晶面取向于低能稳定的{111},更有益于晶界特征分布的优化.这与DR变形形成的110//ND织构导致其再结晶退火过程中晶粒容易长大有关.
【作者单位】： 福州大学材料科学与工程学院;福建工程学院材料科学与工程学院;
【关键词】： 高纯Al 等径角挤压 单向轧制 再结晶 晶界面分布
【基金】：国家自然科学基金项目51171095和51271058资助~~
【分类号】：TG306;TG146.21
【正文快照】： Manuscript received 2015-07-22,in revised form 2015-10-28上个世纪80年代,Watanabe[1]曾提出了“晶界设计与控制”(grain boundary design and control,GB-DC)这一概念,其中心思想是,在重位点阵(coinci-dence site lattice,CSL)晶界[2]框架内,通过改变合金化和优化加工方

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本文编号：723570