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Ti-Ni-Cu记忆合金薄膜的制备与性能研究

发布时间:2017-10-27 06:15

  本文关键词:Ti-Ni-Cu记忆合金薄膜的制备与性能研究


  更多相关文章: TiNiCu记忆合金薄膜 相变行为 力学性能 超弹性


【摘要】:本论文系统的研究了直流磁控溅射工艺参数对Ti-Ni-Cu薄膜性能和成分的影响,确定了最佳制备工艺。通过XRD、TEM、DSC分析和不同温度下拉伸试验研究了退火工艺对Ti49.83Ni40.37Cu9.8薄膜的相变行为、力学性能和超弹性的影响。首先研究薄膜的制备工艺对薄膜成分及性能的影响。发现,使用单靶直流磁控溅射的方式可成功得到成分偏差小,重复性好、Cu含量相对较低的Ti Ni Cu形状记忆合金薄膜。与Si片、Si O2和石英相比,使用玻璃片作为衬底时,薄膜能够无变形、无粘连自由揭下;薄膜力学性能受Ar气压影响较大,相同溅射功率下,Ar气压越低(0.12Pa),薄膜力学拉伸断裂性能越好,当Ar气压达到0.36Pa时沉积在玻璃片上的薄膜脆性极大不能被完整剥离;溅射功率不同所得薄膜的成分存在一定的差异,其中,Ti含量随着溅射功率的增大先增多后减少,Ni和Cu的含量是略有减少的趋势。但与靶材成分相比,溅射所得薄膜的成分中Ti、Cu的含量减少,Ni的含量增多。确定最佳制备工艺为:玻璃片作为衬底,Ar气压0.12Pa,溅射功率220W。通过对Ti49.83Ni40.37Cu9.8薄膜相组成的研究,发现经500℃、600℃、700℃退火后的试样在室温下主要含有B19’马氏体相。退火处理在薄膜中引入Ti(Ni,Cu)2析出相,其含量随着退火时间的延长和退火温度升高而增加。不同退火处理后的Ti49.83Ni40.37Cu9.8薄膜的DSC曲线表明,薄膜试样经快速退火炉退火1min后具有相对较高的相变温度。使用马弗炉退火的试样相变温度随退火时间延长先升高,达到2h时相变温度反而下降。500℃,1h退火试样热循环15次后相变温度基本不变,具有良好的相变稳定性。最后,通过对薄膜力学拉伸试验发现,退火工艺对Ti49.8Ni40.3Cu9.9薄膜的力学性能有显著的影响。同一退火时间随退火温度的升高,试样的断裂应力σf大致上呈下降趋势。而同一退火温度,随着退火时间的延长,薄膜试样的断裂应变εf先呈上升趋势,当退火时间达2h后,断裂应变εf下降。500℃,1h退火后的样品断裂应变高达32%。在不同温度下获得的一系列应力-应变循环曲线表明退火处理后Ti49.8Ni40.3Cu9.9记忆合金薄膜具有良好超弹性。试验温度在60℃~85℃之间时,拉伸卸载后几乎完全恢复。在70℃、75℃和80℃变形8%的试样出现了明显的两个屈服平台。试样的超弹性应变高达12%,且具有良好稳定性。
【关键词】:TiNiCu记忆合金薄膜 相变行为 力学性能 超弹性
【学位授予单位】:哈尔滨工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TG146.23;TB383.2
【目录】:
  • 摘要4-5
  • ABSTRACT5-10
  • 第1章 绪论10-24
  • 1.1 引言10-11
  • 1.2 形状记忆合金的相关性能11-14
  • 1.2.1 形状记忆效应11-12
  • 1.2.2 超弹性12-14
  • 1.3 形状记忆合金的滞后现象14-16
  • 1.4 Ti-Ni基形状记忆合金薄膜的制备方法16-18
  • 1.4.1 真空蒸发镀膜法16-17
  • 1.4.2 磁控溅射法17-18
  • 1.5 影响Ti-Ni合金薄膜性能的因素18-20
  • 1.5.1 成分对薄膜结构和性能的影响18
  • 1.5.2 基底对薄膜结构和性能的影响18-19
  • 1.5.3 热处理工艺对形状记忆效应的影响19-20
  • 1.5.4 其他实验参数对薄膜结构性能的影响20
  • 1.6 TiNi基形状记忆合金薄膜20-23
  • 1.6.1 Ti-Ni记忆合金薄膜20
  • 1.6.2 Ti-Ni-X(X= Zr , Hf, Pd, Pt)记忆合金薄膜20-21
  • 1.6.3 Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜21-23
  • 1.7 研究的目的和意义23-24
  • 1.7.1 研究的目的和意义应用23
  • 1.7.2 研究的主要内容和方案23-24
  • 第2章 实验内容及实验方法24-28
  • 2.1 靶材制备24
  • 2.2 薄膜的制备24-25
  • 2.3 薄膜的热处理25
  • 2.4 薄膜的成分及厚度分析25
  • 2.5 薄膜的相变25-26
  • 2.5.1 显微组织分析25
  • 2.5.2 相变行为测试25-26
  • 2.6 力学性能及形状记忆效应测量26-28
  • 第3章Ti-Ni-Cu合金薄膜的制备与质量分析28-39
  • 3.1 引言28
  • 3.2 Ti-Ni-Cu记忆合金薄膜的制备28-31
  • 3.2.1 靶材的制备方法28-30
  • 3.2.2 双靶共溅射制备Ti-Ni-Cu薄膜30-31
  • 3.2.3 单靶制备Ti-Ni-Cu薄膜31
  • 3.3 单靶直流磁控溅射工艺参数优化31-38
  • 3.3.1 基片的选择与预处理32-33
  • 3.3.2 Ar气压的选择33-36
  • 3.3.3 溅射功率的选择36-38
  • 3.4 本章小结38-39
  • 第4章 Ti-Ni-Cu合金薄膜的马氏体相变与显微组织39-53
  • 4.1 引言39
  • 4.2 Ti-Ni-Cu非晶薄膜的晶化39-42
  • 4.3 近等原子比Ti-Ni-Cu薄膜马氏体相变和显微组织42-46
  • 4.3.1 室温相组成43-45
  • 4.3.2 显微组织结构45-46
  • 4.4 Ti-Ni-Cu薄膜的相变46-52
  • 4.4.1 相变温度46-51
  • 4.4.2 热循环稳定性51-52
  • 4.5 本章小结52-53
  • 第5章 Ti-Ni-Cu薄膜的拉伸力学性能和形状记忆效应53-63
  • 5.1 引言53
  • 5.2 Ti_(49.83)Ni_(40.37)Cu_(9.8)薄膜的拉伸力学性能53-56
  • 5.3 薄膜的形状记忆效应56-57
  • 5.4 超弹性及其稳定性57-62
  • 5.5 本章小结62-63
  • 结论63-64
  • 参考文献64-70
  • 致谢70

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