溅射条件对ZnO:Al薄膜生长和性能的影响（英文）

发布时间：2018-04-09 08:46

本文选题：ZnO薄膜　切入点：中频磁控溅射　出处：《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》2015年05期

【摘要】：采用中频磁控溅射法在玻璃基体上制备Al掺杂ZnO薄膜(AZO),分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计及霍尔测试系统研究不同沉积条件如样品台转速和靶-基距离对薄膜光学、电学、微观形貌及晶体结构的影响。XRD结果表明,所有AZO薄膜都呈c轴择优取向,薄膜的结晶度随着样品台转速的增大而降低,且晶粒呈非平衡状态生长。而在不同的靶-基距离时,薄膜具有相似的微观结构和表面形貌。当样品台转速为0、靶-基距离为7 cm时,AZO薄膜的光电性能最好,载流子浓度和霍尔迁移率分别为5.9×1020 cm-3和13.1 cm2/(V·s)。研究结果表明,样品台转速是影响AZO膜的结构和性能的主要因素。
[Abstract]:Al - doped ZnO films were prepared on glass substrates by medium - frequency magnetron sputtering . The effects of different deposition conditions such as rotational speed and target - base distance on the optical , electrical , micro - morphology and crystal structure were studied by scanning electron microscopy ( SEM ) , atomic force microscopy ( AFM ) , X - ray diffraction ( XRD ) , spectrophotometer and Hall test system .

【作者单位】：广东省现代表面工程技术重点实验室;广州有色金属研究院新材料研究所;
【基金】：Project(51302044)supported by the National Natural Science Foundation of China Project(2012M521596)supported by the Chinese Postdoctoral Science Foundation Project(KLB11003)supported by the Key Laboratory of Clean Energy Materials of Guangdong Higher Education Institute,China
【分类号】：TG178

【参考文献】