SiC单晶片化学机械研磨试验研究

发布时间：2018-05-08 11:23

  本文选题：化学机械研磨 + 研磨液　； 参考：《表面技术》2015年04期

【摘要】：目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为:助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。
[Abstract]:Objective to improve the material removal rate and surface quality of sic single crystal wafer. Methods Grinding fluid test was carried out, the optimum ratio of lapping fluid and the order of primary and secondary factors affecting the removal rate were obtained by using the range method, and the single factor test was carried out on the main influencing factors and the influence on the material removal rate was investigated. Results the quality of grinding fluid was 50 g. The optimum formula was as follows: grinding aid, dispersant, thickener, lubricant, abrasive A and abrasive B, respectively, the quality of grinding fluid was 9 / 7 / 5 / 3 / 3 / 3 / 5 g, and the rest was a mixture, and the particle size of abrasive A and B were both W28. Conclusion the main factor affecting the material removal rate is the abrasive particle size, the larger the particle size, the higher the material removal rate.
【作者单位】： 西南石油大学机电工程学院;河南科技学院机电学院;吉安职业技术学院机电工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(51075125)~~
【分类号】：TG580.68

【参考文献】

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2 李娟;陈秀芳;马德营;姜守振;李现祥;王丽;董捷;胡小波;徐现刚;王继扬;蒋民华;;SiC单晶片的超精密加工[J];功能材料;2006年01期

3 彭进;夏琳;邹文俊;;化学机械抛光液的发展现状与研究方向[J];表面技术;2012年04期

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5 徐进,雒建斌,路新春,张朝辉,潘国顺;超精密表面抛光材料去除机理研究进展[J];科学通报;2004年17期

6 赵永武,刘家浚;半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展[J];摩擦学学报;2004年03期

7 刘瑞江;张业旺;闻崇炜;汤建;;正交试验设计和分析方法研究[J];实验技术与管理;2010年09期

8 李淑娟;胡海明;李言;高新勤;;SiC单晶片研磨机理及试验[J];人工晶体学报;2013年10期

【共引文献】

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6 王永光;赵永武;;ULSI化学机械抛光材料分子磨损机理研究进展[A];第八届全国摩擦学大会论文集[C];2007年

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4 王吉翠;邓乾发;周兆忠;李振;袁巨龙;;蓝宝石晶片机械化学研磨抛光新方法研究[J];表面技术;2011年05期

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6 李娟;陈秀芳;马德营;姜守振;李现祥;王丽;董捷;胡小波;徐现刚;王继扬;蒋民华;;SiC单晶片的超精密加工[J];功能材料;2006年01期

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8 高德友;赵北君;朱世富;唐世红;何知宇;张冬敏;方军;程曦;;碲锌镉单晶片的退火方法[J];功能材料与器件学报;2008年03期

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本文编号：1861193