铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展：生长行为与控制制备.pdf

  本文关键词：铜表面化学气相沉积石墨烯的研究，由笔耕文化传播整理发布。

2012 年 第 57 卷 第 23 期:2158 ~ 2163 《 中国科学 》 杂志社 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展: 生长行为与 控制制备 ①* ①* ② ② ① 马来鹏 , 任文才 , 董再励 , 刘连庆 , 成会明 ① 中国科 学院金 属研究所 沈阳材 料科学国 家联合实验室, 沈阳 110016; ② 中国科 学院沈 阳自动化 研究所, 机器人学 国家 重点实验 室, 沈阳 110016 * 联系人, E-mail: [email protected]://max.book118.com; [email protected]://max.book118.com 2011-12-27 收稿, 2012-03-16 接受 国家自然 科学基 金青年科 学基金51102241和机器 人学国家 重点实 验室开放 课题RLO201012资助 摘要 以铜作为基体的化学气相沉积法CVD 是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法, 具有 关键词 石墨烯 产物质量 高、层数均一 等优点, 已成为制备大面积 、单层石墨烯 的主要方法. 本文围绕铜表面 控制生长CVD 控制生 长石墨烯, 结 合对石墨 烯的 结构和生 长行 为的初步 认识, 介绍了质 量 提高、 层数控 化学气相沉积 制 以及无 转移生 长等控 制制备 方面的 最新研 究进展, 并展 望了该 方法制 备石墨 烯的可 能发 展 铜基体 方向, 包括大 尺寸石墨 烯单 晶以及不 同堆 垛方式的 双层 石墨烯的 控制 生长等作为新型的二维晶体材料, 石墨烯具有高的载 高质量少层 和多层石墨 烯的制备方 法. 此外, 如何实 流 子迁移 率和 导热率、 高透 光性和 良好 的化学 稳定 性 现大面积、 高质量石墨烯的无转移生长也是目前 CVD 等, 在电子 器件 、透 明电极 材料 、储 能 材 料 、功能 复 石墨烯应用 面临的重要 挑战. 针对上 述关键问题, 各 [1,2] 合材料等众多领域具有广阔的应用前景在各 种 国 学者开 展了 广泛的 研究, 在表征 石墨 烯的结 构、

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