化学气相沉积钨显微组织缺陷的形成与控制

发布时间：2018-06-17 05:17

  本文选题：WF + 钨　； 参考：《中国有色金属学报》2015年06期

【摘要】：以WF6为前驱体,采用化学气相沉积法(CVD)在纯铜基体上沉积出钨涂层。利用光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)分析研究钨制品组织缺陷的形成。结果表明:反应物浓度起伏对化学气相沉积钨的显微组织具有显著影响。当n(WF6):n(H2)≥1:3时,沉积物为柱状晶组织;当n(WF6):n(H2)1:3时,该沉积层晶粒明显细化,显微组织为细晶层状结构。另外,沉积过程中杂质形状也显著影响沉积层的显微组织。当基体表面存在一维杂质时,沉积制品表面产生明显的凸起,严重影响制品的表面质量和显微组织的均匀性;当沉积过程中存在零维杂质时,沉积层出现放射状的组织结构。
[Abstract]:Tungsten coating was deposited on pure copper substrate by chemical vapor deposition (CVD) using WF 6 as precursor. The formation of tungsten defects was studied by means of optical microscope (Om) and scanning electron microscope (SEM). The results show that the fluctuation of reactant concentration has a significant effect on the microstructure of chemical vapor deposition tungsten. The sediment is columnar structure when the ratio of WF6 / H2) 鈮，

本文编号：2029880