熊伟, 导师:魏昕,化学机械抛光中抛光垫的作用研究

  本文关键词：化学机械抛光中抛光垫的作用研究，由笔耕文化传播整理发布。

首页 > 专家 > 内容

文献名称：化学机械抛光中抛光垫的作用研究

    前言：目前化学机械抛光广泛应用于衬底晶片和多层布线的层间平坦化加工中。抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分,具有贮存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料性能、表面结构与状态以及修整状态等决定。目前,化学机械抛光中抛光垫的作用还缺乏系统的研究和能够指导生产应用的理论依据。本文通过理论研究与实验分析相结合,对化学机械抛光中抛光垫特性进行系统研究。 本文首先基于随机表面的G-W接触模型和赫兹弹性理论分析了抛光垫与晶片的接触情况,从单颗磨料的磨削作用出发,推导出抛光过程中材料去除率的数学模型。研究结果表明,抛光垫性能对抛光效率有较大影响,抛光垫硬度越大、弹性模量越大,材料去除率也越大;抛光垫表面微凸峰越多、尺寸越大,材料去除率越大。 分别采用聚氨酯抛光垫、聚四氟乙烯抛光垫、无纺布抛光垫抛光钽酸锂晶片,研究抛光垫材料性能对抛光效果影响。相比于聚四氟乙烯抛光垫、无纺布抛光垫,聚氨酯抛光垫硬度适中,表面存在许多均匀的微孔,抛光性能较好,在抛光压力6.7kPa,抛光盘转速40rpm时获得了表面粗糙度0.066μm、材料去除率26.4nm/min的较好抛...
    At present, chemical mechanical polishing (CMP) is widely used in the flatness process of polishing substrate and multilevel interconnections. Polishing pad is a key component of CMP system. It can store the polishing slurry and deliver it to the wafer workpiece evenly. The performances of pad are determined by type and properties of its material, the surface structure and state, and the state of conditioning, etc. However, the function of pad is not widely studied, and theoretical foundation that can guide...

文献名称 化学机械抛光中抛光垫的作用研究

Article Name
英文(英语)翻译 Study on Pad Performance in Chemical Mechanical Polishing;

作者 熊伟; 导师:魏昕;

Author

作者单位
Author Agencies 广东工业大学;

文献出处
Article From 中国科学院上海冶金研究所; 材料物理与化学(专业) 博士论文 2000年度

关键词 钽酸锂晶片; 化学机械抛光; 抛光垫; 修整;

Keywords Tantalum Lithium Wafer;Chemical Mechanical Polishing;Polishing pad;Conditioning;

气门锥面等离子喷焊钴基系列合金强化层的性能研究
精密微小零件三维微细切削加工基础研究
环境友好型-TC-1缓蚀剂的研制及机理探讨
双硫腙修饰纳米二氧化钛固相萃取水中的痕量汞
板材液压成形监控管理系统研究及开发
Na_xCo_2O_4基材料的制备和热电性能研究
“渗氮/PVD TiN、（Ti，Ce）N、（Ti，Cr）N、（Ti，Cr，，Ce）N、CrN”复合涂层的合成及表征
板材液压成形液压系统动态过程研究
Cu-Ni-Zn合金常量成分测定及误差分析
18K白色金合金中间合金的制备及其细化性能的研究

  本文关键词：化学机械抛光中抛光垫的作用研究，由笔耕文化传播整理发布。