脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响

发布时间：2018-08-17 13:31

【摘要】：采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了脉冲频率对渗硅层沉积速率、成分、厚度、组织及相结构的影响,同时考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,频率对渗硅层成分无影响。随频率增大,渗硅层厚度和沉积速率均减小。频率由500Hz增大到1000 Hz时,渗硅层晶粒变得细小致密;超过1000 Hz后,晶粒则变得粗大。渗硅层相结构不受频率影响,均由单相NbSi_2组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。NbSi_2渗层的存在使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。
[Abstract]:The siliconized layer was prepared on the surface of pure niobium by molten salt pulse electrodeposition. The effects of pulse frequency on deposition rate, composition, thickness, microstructure and phase structure of siliconized layer were studied. The oxidation resistance of siliconized layer at high temperature was also investigated. The results show that the frequency has no effect on the composition of siliconized layer. The thickness and deposition rate of siliconized layer decrease with increasing frequency. When the frequency is increased from 500Hz to 1000 Hz, the grains of the siliconized layer become fine and compact, and when the frequency is higher than 1000 Hz, the grains become coarse. The phase structure of siliconized layer is not affected by frequency and is composed of single phase NbSi_2. The existence of preferred orientation. NbSII layer on (110) and (200) crystal planes can improve the oxidation resistance of pure niobium at high temperature.
【作者单位】： 华北理工大学冶金与能源学院现代冶金技术教育部重点实验室;
【基金】：河北省自然科学基金(E2014209275)资助
【分类号】：TG174.4

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2187789