硒化锌的化学机械抛光研究

发布时间：2018-11-25 21:32

【摘要】：采用化学机械抛光(CMP)的方法,自制抛光液作为研磨介质,对(50×50×1.5)mm3硒化锌(ZnSe)晶片抛光。通过分析抛光液的pH值、抛光盘转速、抛光液的磨料浓度、压力、抛光时间和抛光液流量等参数对CMP的影响,组合出最佳工艺参数,并通过原子力显微镜和平晶测试方法对最佳工艺参数获得的ZnSe晶片进行测试,实验结果显示,ZnSe晶片抛光后的表面粗糙度Ra为0.578 nm,平面面形误差小于1.8μm。
[Abstract]:The (50 脳 50 脳 1. 5) mm3 zinc selenide (ZnSe) wafer was polished by means of chemical-mechanical polishing (CMP) with self-made polishing solution. By analyzing the effect of pH value of polishing fluid, rotation speed of polishing disc, abrasive concentration, pressure, polishing time and flow rate of polishing liquid on CMP, the optimum process parameters are obtained. The ZnSe wafer obtained by the optimum process parameters was tested by atomic force microscope (AFM) and crystal test method. The experimental results show that the surface roughness Ra of the ZnSe wafer is less than 1.8 渭 m after polishing the surface roughness of the ZnSe wafer with a plane shape error of 0.578 nm,.
【作者单位】： 山西省光电信息与仪器工程技术研究中心;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;
【基金】：国际科技合作项目(2013DFR10150)
【分类号】：TG175

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2357436