磁流变抛光去除函数获取的微分解耦方法

发布时间：2020-02-26 16:32

【摘要】：针对非球面光学元件连续变曲率的特点,提出了一种基于平面抛光斑演变获取非球面磁流变抛光去除函数的技术思路。通过分析磁流变抛光机理,建立了磁流变抛光多因素耦合作用模型。基于该模型提出磁流变抛光去除函数获取的微分解耦方法,实现对抛光斑形成机制中的几何因素解耦,发现当工艺条件变化较小时,在空间中的特定点处,去除效率的变化量与工件浸入深度的改变量呈线性关系。实验观测的20个点中,有17处决定系数在90%以上,另外3处在80%以上,峰值去除率和体积去除率演变的决定系数分别达到92%和94%,实验验证了这一结论。
【图文】：

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ｅｒｅｎｔｉｍｍｅｒｓｉｏｎｄｅｐｔｈａｎｄｔｈｅＲｍａｐｄｉａｇｒａｍ图４不同浸深下的抛光斑实验结果及抛光斑效率分布示意图抛光斑ｘ方向的中心平面为ｙＯｚ平面，抛光斑的在该平面内的效率分布定义为效率的中心线ＣＬ，该线上的最高点近似为该抛光斑的峰值去除率ＰＲＲ，，ＰＲＲ所在平面定义为ｘＯｚ平面，坐标原点为ＰＲＲ在ｘｙ平面内的投影，抛光斑在ｘＯｚ平面内的效率分布定义为横截面轮廓ＣＰ，见图４。提取所有抛光斑的中心线ＣＬ，并进行平滑处理，示意如图５所示。确定ＰＲＲ并根据ＰＲＲ所在位置确定横截面轮廓ＣＰ，得到各抛光斑的ＣＰ如图６所示。从图４可以看出，ｄ＝０．１ｍｍ的抛光斑最大去除率点偏离中轴线，ｄ＝０．５ｍｍ的抛光斑入口处有小部分区域与其他抛光斑重叠，存在一定误差，但是并不会影响研究不同浸深下去除效率的演变关系。Ｆｉｇ．５Ｒｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｃｅｎｔｅｒｌｉｎｅ（ＣＬ）ｏｆｓｐｏｔｆｏｒｅａｃｈｄ图５抛光斑中心线ＣＬ上的去除效率Ｆｉｇ．６Ｒｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎａｌｐｒｏｆｉｌｅ（ＣＰ）ｏｆｓｐｏｔｆｏｒｅａｃｈｄ图６抛光斑横截面轮廓ＣＰ上的去除效率在ＣＬ上相隔０．３４ｍｍ等间距取１０个点，在ＣＰ上相隔０．３２ｍｍ等间距取１０个点，确定这２０个点在不同浸深下的去除效率的变化量。并线性拟合得到各点处的

本文编号：2583045