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时效时间对Cu-3.5Ag合金性能及其纳米析出相特征的影响

发布时间:2021-01-20 20:18
  通过热型水平连铸工艺制备了Cu-3.5Ag合金,经950℃×1 h固溶,以及450℃下分别保温2、4、6和8 h的时效热处理,研究了时效时间对合金性能和析出相特征的影响。结果表明:随着时效时间的增加,合金的硬度呈先急剧升高后缓慢下降趋于平缓的趋势,合金的导电率基本保持不变;随着时效时间增加,析出相形貌、大小和数量均发生显著改变,富Ag相和铜基体始终保持半共格关系且两者具有完全一致的取向,半共格界面有效阻碍了位错运动从而使基体得到强化,相同的取向关系降低了析出相对电子的散射,进而对合金硬度和导电率具有改善效果。试验范围内,Cu-3.5Ag合金经450℃×4 h时效热处理后,硬度和导电率分别为122.62 HV0.1和86.20%IACS,综合性能较好。 

【文章来源】:材料热处理学报. 2020,41(06)北大核心

【文章页数】:7 页

【部分图文】:

时效时间对Cu-3.5Ag合金性能及其纳米析出相特征的影响


经450 ℃×4 h时效后Cu-3.5Ag合金TEM像

合金,基体,花样


不同时效时间下的Cu-3.5Ag合金微观组织,如图1~图4所示。图1为经950 ℃×1 h固溶后Cu-3.5Ag合金微观组织,由图1中可以看出,Cu基体除分布有少量位错外无明显富Ag相,选区衍射花样的标定如图1(b),Cu基体的晶带轴为[001],未观察到Ag的衍射斑点,说明Ag原子完全固溶形成过饱和固溶体。图2为经450 ℃×2 h时效处理后的Cu-3.5Ag合金微观组织。由图2(a)可以看出,由于保温时间较短,大多数Ag原子依旧以固溶形式存在,只有少量富Ag相析出,析出相周围存在少量位错。图2(b)衍射花样只有Cu基体的衍射花样,出现高阶劳埃带效应,原因可能是TEM制样时衍射花样不正或者式样部分区域太厚,使得零层倒易面倾斜,从而增加了上下层倒易面与反射球的相交机会。图2(c)对析出相进行HRTEM像分析,富Ag相周围存在晶体缺陷,造成应力场衬度不同。晶界、位错、空位等缺陷对析出相的形核及长大起促进作用,同时这些缺陷也会为析出相形核提供有利位置。对HRTEM像进行傅里叶变换得到衍射花样进行分析和标定如图2(d),可以看出析出相与Cu基体取向完全一致为:{200}Ag//{200}Cu和<100>Ag//<100>Cu,富Ag相与基体cube-on-cube的位向关系[20]。根据界面错配度公式 = 2(a-a) a+a ,其中aβ,aα分别为析出相和基体的两平行界面的面间距[14,21],计算富Ag相和基体(200)、(020)、(220)晶面的错配度分别为15.56%,15.44%和13.95%,说明析出相和基体为半共格关系。时效初期,富Ag相的析出,对位错运动起到阻碍作用,同时合金固溶度减小,但由于保温时间较短,析出相数量太少,以至于对合金硬度和导电率的影响不大。

时效,合金,基体,花样


图2为经450 ℃×2 h时效处理后的Cu-3.5Ag合金微观组织。由图2(a)可以看出,由于保温时间较短,大多数Ag原子依旧以固溶形式存在,只有少量富Ag相析出,析出相周围存在少量位错。图2(b)衍射花样只有Cu基体的衍射花样,出现高阶劳埃带效应,原因可能是TEM制样时衍射花样不正或者式样部分区域太厚,使得零层倒易面倾斜,从而增加了上下层倒易面与反射球的相交机会。图2(c)对析出相进行HRTEM像分析,富Ag相周围存在晶体缺陷,造成应力场衬度不同。晶界、位错、空位等缺陷对析出相的形核及长大起促进作用,同时这些缺陷也会为析出相形核提供有利位置。对HRTEM像进行傅里叶变换得到衍射花样进行分析和标定如图2(d),可以看出析出相与Cu基体取向完全一致为:{200}Ag//{200}Cu和<100>Ag//<100>Cu,富Ag相与基体cube-on-cube的位向关系[20]。根据界面错配度公式 = 2(a-a) a+a ,其中aβ,aα分别为析出相和基体的两平行界面的面间距[14,21],计算富Ag相和基体(200)、(020)、(220)晶面的错配度分别为15.56%,15.44%和13.95%,说明析出相和基体为半共格关系。时效初期,富Ag相的析出,对位错运动起到阻碍作用,同时合金固溶度减小,但由于保温时间较短,析出相数量太少,以至于对合金硬度和导电率的影响不大。经450 ℃×4 h时效处理后的Cu-3.5Ag合金微观组织如图3所示。图3(a)可以观察到大量富Ag相呈链状析出,且析出相周围存在晶体缺陷及大量位错。衍射花样的分析和标定如图3(b),富Ag相与基体的位向关系为:(002)Ag//(002)Cu和 [1 2 ˉ 0] Ag // [1 2 ˉ 0] Cu ,富Ag相和基体(002)、(420)、(422)晶面的错配度分别为11.56%,11.76%和11.92%,δ值较保温2 h时低,析出相和基体也是半共格关系。图3(c)暗场像中较多富Ag相形貌为圆球状,少量由圆球状链状排列紧密形成的短棒状,平均直径为17~19 nm。大量富Ag相不连续析出,对位错阻碍作用大幅度加强;固溶量持续降低,晶格畸变较少,电子散射作用减弱,此时,合金硬度和导电率都有较大提升。

【参考文献】:
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