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基于CCD的高温温度场测量方法研究

发布时间:2021-02-19 14:10
  在现代金属热处理技术中,温度及其分布作为生产工艺中重要的因素影响着产品的性能,因此如何测量高温温度场变的尤为重要。目前,传统的接触式高温测量方法存在测温效率低,难以实现温度场分布的测量等问题。红外热成像设备虽然可以得到宽温度场分布,但其不适合高温测量,且结构复杂、价钱昂贵。基于近红外CCD的高温温度场测量方法是一种在传统辐射测温技术基础上结合了现代数字图像处理技术的非接触式的测温方法,其具有结构简单、精度较高、低成本的特点,并且对高温目标的温度场能够进行准确的测量。本设计针对激光热处理温度场温度变化快和温度范围宽的实际具体需求进行了基于近红外CCD的高温温度场测量系统设计,对辐射温度和图像灰度映射关系曲线进行标定。首先,针对温度变化快的特点,提出了快速变化温度场的自适应曝光控制算法,通过快速调整曝光时间以切换到合适的温度测量段,实现了对快速变化温度场的测量。针对温度范围宽的特点,提出了宽温度场的分段测量方法,采用快速变化温度场的自适应曝光控制算法得到最小曝光时间,从小到大依次将多个曝光时间下的窄温度场合成宽温度场。其次,对辐射温度和图像灰度映射关系的标定过程和测量过程进行了误差分析,提... 

【文章来源】:长春理工大学吉林省

【文章页数】:67 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

基于CCD的高温温度场测量方法研究


MV-GED32M-T型CCD相机

区域图,黑体,区域,腔体


黑体标定区域

灯丝,图像,曝光时间


24场衔接处的一致性。(a)(b)(c)图4.2灯丝图像(a)曝光时间0.04ms图像;(b)曝光时间0.5ms图像;(c)曝光时间1ms图像;如图4.2以钨丝灯图像为例,曝光时间0.04ms时所采集的图像中,钨丝部分图像灰度值未饱和且细节清晰可见,但钨丝周围温度由于曝光时间较孝采集图像中温度下限较高的原因并未被获龋在曝光时间0.5ms的温度图像中灯丝部分出现了饱和致使CCD电荷存储区溢出的电子沿行或列方向进入相邻像元,“污染”了该区域,导致出现了光晕现象,但灯丝外围未饱和区的低温区域被获取到。当曝光时间为1ms时,灯丝区域的像素灰度值已完全饱和,光晕现象更加严重,但周围未受“污染”的区域细节也更加丰富。设置钨丝的光谱发射率为0.3,首先通过式(3-4)可计算出曝光时间0.04ms图像灰度值大于的像素温度,得到温度场,其温度场如图4.3(a)所示,温度范围为1364.9-1657.2℃。其次通过式(3-3)计算出曝光时间0.5ms时图像灰度值大于且未参与计算的像素温度,得到温度场,如图4.3(b)所示,该温度场温度范围为1152.9-1464.7℃。然后由式(3-2)计算出曝光时间1ms图像中灰度值大于且未参与前两部计算的像素温度,得到温度场,如图4.3(c)所示,该温度场温度范围为892.8-1252.4℃。最后,如图4.3(d)所示,得到,其温

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本文编号:3041229

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