温度对体心立方钼中位错行为影响的原位透射电镜研究
发布时间:2021-03-25 16:23
本文通过原位透射电镜下的拉伸试验,在不同温度下研究了具有室温韧脆转变行为的体心立方钼中的位错行为。结果表明,室温下钼的变形过程中主要以刃位错和混合位错的运动为主,位错运动受扭结对机制控制,存在大量刃位错的快速运动和螺位错交滑移行为,位错运动情况复杂。低温下,刃位错运动被抑制,螺位错运动为主导变形行为。螺位错以长直形态存在,以非连续跳跃方式运动。这种低温下活跃的螺位错行为以及温度与位错行为变化的关系尚无法用传统热激活理论解释,声子拖拽机制或变为位错运动的激活机制。
【文章来源】:电子显微学报. 2020,39(04)北大核心CSCD
【文章页数】:7 页
【部分图文】:
室温下位错运动形态。
图1 室温下位错运动形态。另外,低温下,位错的运动方式由室温下的连续滑移转变为跳跃式滑移。从图3b中可见,由于透射电镜中CCD相机捕捉画面有短暂延迟,8 s时的位错1在跳跃前进过程中被捕捉到两个图像,显示了该位错单次跳跃前进的过程。图3(d~f)是该温度下位错的g·b分析结果。图3d为[111]正带轴下图像,记录了伯氏矢量为 a 2 [ 1 ˉ 11] 及 a 2 [1 1 ˉ 1] 的两组位错形态,而图3(e,f)记录了不同消光条件下两组位错的消光图像。
另外,低温下,位错的运动方式由室温下的连续滑移转变为跳跃式滑移。从图3b中可见,由于透射电镜中CCD相机捕捉画面有短暂延迟,8 s时的位错1在跳跃前进过程中被捕捉到两个图像,显示了该位错单次跳跃前进的过程。图3(d~f)是该温度下位错的g·b分析结果。图3d为[111]正带轴下图像,记录了伯氏矢量为 a 2 [ 1 ˉ 11] 及 a 2 [1 1 ˉ 1] 的两组位错形态,而图3(e,f)记录了不同消光条件下两组位错的消光图像。3 讨论
【参考文献】:
期刊论文
[1]TWIP高熵合金中塑性变形机理的原位电镜研究[J]. 符晓倩,余倩,张泽. 电子显微学报. 2019(05)
[2]体心立方金属Mo纳米线拉伸塑性行为的原位透射电子显微镜观察[J]. 卢艳,王立华,邓青松,胡忠武,肖礼容,向思思,张泽,韩晓东. 电子显微学报. 2014(04)
本文编号:3099961
【文章来源】:电子显微学报. 2020,39(04)北大核心CSCD
【文章页数】:7 页
【部分图文】:
室温下位错运动形态。
图1 室温下位错运动形态。另外,低温下,位错的运动方式由室温下的连续滑移转变为跳跃式滑移。从图3b中可见,由于透射电镜中CCD相机捕捉画面有短暂延迟,8 s时的位错1在跳跃前进过程中被捕捉到两个图像,显示了该位错单次跳跃前进的过程。图3(d~f)是该温度下位错的g·b分析结果。图3d为[111]正带轴下图像,记录了伯氏矢量为 a 2 [ 1 ˉ 11] 及 a 2 [1 1 ˉ 1] 的两组位错形态,而图3(e,f)记录了不同消光条件下两组位错的消光图像。
另外,低温下,位错的运动方式由室温下的连续滑移转变为跳跃式滑移。从图3b中可见,由于透射电镜中CCD相机捕捉画面有短暂延迟,8 s时的位错1在跳跃前进过程中被捕捉到两个图像,显示了该位错单次跳跃前进的过程。图3(d~f)是该温度下位错的g·b分析结果。图3d为[111]正带轴下图像,记录了伯氏矢量为 a 2 [ 1 ˉ 11] 及 a 2 [1 1 ˉ 1] 的两组位错形态,而图3(e,f)记录了不同消光条件下两组位错的消光图像。3 讨论
【参考文献】:
期刊论文
[1]TWIP高熵合金中塑性变形机理的原位电镜研究[J]. 符晓倩,余倩,张泽. 电子显微学报. 2019(05)
[2]体心立方金属Mo纳米线拉伸塑性行为的原位透射电子显微镜观察[J]. 卢艳,王立华,邓青松,胡忠武,肖礼容,向思思,张泽,韩晓东. 电子显微学报. 2014(04)
本文编号:3099961
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jinshugongy/3099961.html
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