基片偏压改变对镁合金Ti/TiN膜质量的影响

发布时间：2021-05-21 22:09

　　目的探讨基片偏压对镁合金Ti/TiN膜层质量的影响。方法利用多弧离子镀技术,在不同偏压条件下,对镁合金先镀Ti再镀TiN,通过SEM观察膜层形貌,通过划痕测定膜基结合性能,通过电化学工作站对比AZ31镁合金与不同偏压镀膜试样的耐蚀性。结果偏压为200V时,TiN膜层致密均匀且成膜速度快,膜层耐蚀性最好;偏压为200V时,基体结合最好且膜层较厚,有较好的耐蚀性。结论镀Ti膜时的偏压对随后镀TiN的质量有着显著的影响,以200V偏压的工艺镀TiN膜层质量最好,膜层致密,成膜速度快,耐蚀性优良。 

【文章来源】：表面技术. 2015,44(01)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验
2 结果与分析
    2. 1 偏压对膜层形貌、成膜速度的影响
    2. 2 偏压对膜基结合强度的影响
    2. 3 偏压对膜层耐蚀性的影响
3 结论



本文编号：3200459