Cu@Sn核壳结构高温钎料的制备及曲面化合物生长行为研究

发布时间：2021-06-07 04:28

　　随着电子工业向高集成度和小型化发展,电子器件的功率密度也在随之不断升高,这就导致了高的电流密度和大的热能释放,从而要求电子器件中互连焊点所能承受的工作温度随之升高。尤其对于诸如航空航天、汽车电子、油气勘探中的深井探测等这类在苛刻环境条件下工作的电子器件而言,要求更为苛刻。目前,电子器件中所使用的大部分芯片由硅（Si）制成,由于硅自身的物理条件限制,它不能在高于150℃的条件下稳定工作。近些年,碳化硅（Si C）,氮化镓（Ga N）凭借其宽的禁带宽度、高饱和电子漂移速率、大的临界击穿强度、和高热传导率等优异性能成为了功率半导体最理想的材料。最重要的是,Si C可以在超过600℃的情况下依然保持良好的性能。因此,需要寻找合适的芯片贴装材料来使Si C功率器件在高温下得以将其优异的性能发挥出来。Cu@Sn核壳结构粉体作为一种新型钎料可以满足低温回流、高温服役的要求,是一种理想的高温钎料。课题首先对已有的Cu@Sn核壳结构粉体制备工艺进行了优化,具体对制备工艺中的各项重要参数做了细致的实验探究,总结出了工艺参数与粒径大小之间的关系,使优化后的Cu@Sn核壳结构粉体制备工艺能够适用于不同粒径大小... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：74 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

碳化硅器件纳米银烧结封装过程

图 1-2 Ag-Sn 体系的 TLP 连接过程[30]Mokhtari 等人[31]研究了共晶 Sn-Bi 体系，并研究了 Cu 颗粒的加入对钎料的影响。Cu 的加入使钎料熔点由 139 ℃提高到 201 ℃，并且能够消耗钎料中的 S并与之反应生成 Cu-Sn IMCs，焊点中出现 Bi 富集相。结构示意如图 1-3 所示。图 1-3 共晶 Sn-Bi 钎料向 Cu-Sn IMCs 转变示意图[31]Lee 等人[32]研究了 Cu/In，Au/In 和 Cu-Sn TLP 连接的可靠性问题。结果显示Cu/In 钎料的剪切强度更高，并且对于陶瓷基底 Cu/In 焊点在热循环测试中表现[33]

哈尔滨工业大学工程硕士学位论文图 1-2 Ag-Sn 体系的 TLP 连接过程[30]Mokhtari 等人[31]研究了共晶 Sn-Bi 体系，并研究了 Cu 颗粒的加入对钎料的影响。Cu 的加入使钎料熔点由 139 ℃提高到 201 ℃，并且能够消耗钎料中的 S并与之反应生成 Cu-Sn IMCs，焊点中出现 Bi 富集相。结构示意如图 1-3 所示。

【参考文献】：
期刊论文
[1]化学镀锡工艺参数对沉积速率、镀层厚度及表面形貌的影响[J]. 徐磊,何捍卫,周科朝,刘洪江.  材料保护. 2009(05)
[2]化学镀锡液中添加剂的影响研究[J]. 孙武,李宁,苏晓霞,赵杰.  材料保护. 2007(01)
[3]化学镀锡反应历程的研究进展[J]. 赵杰,李宁,傅石友.  电镀与涂饰. 2006(08)
[4]低温化学镀锡工艺条件对锡层厚度的影响[J]. 孙武,李宁,赵杰,苏晓霞.  电镀与环保. 2006(03)



本文编号：3215862