基于聚乙烯咔唑的非挥发型阻变存储特性分析

发布时间：2017-10-13 21:38

  本文关键词：基于聚乙烯咔唑的非挥发型阻变存储特性分析

  更多相关文章： 聚乙烯咔唑 阻变特性 开关态电流比 耐久特性

【摘要】：采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件,并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性,具有WORM存储特性。该元件具有良好的数据保持能力和耐久能力,开关态电流比可达103,且具有较低的阈值转换电压。分别对低阻态和高阻态的载流子传输机制进行了拟合,低阻态为欧姆传导机制,高阻态为空间电荷限制电流发射机制。根据载流子传输机制,对阻变特性进行了解释。
【作者单位】： 齐齐哈尔大学校办公室;齐齐哈尔大学通信与电子工程学院;电子工程黑龙江省高校重点实验室;
【关键词】： 聚乙烯咔唑 阻变特性 开关态电流比 耐久特性
【分类号】：TQ317;TP333
【正文快照】： 在过去的几十年里,通用型半导体存储器件的容量得到了大幅度的提高,体积也显著减小。但光刻模板分辨率低及造价昂贵的问题仍然限制着半导体器件的发展。因此,研究新型材料来取代硅半导体在信息存储领域的应用具有十分重大的意义[1]。利用有机或者高分子材料制备的器件结构简单，

本文编号：1027222