基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究

发布时间：2017-10-14 09:15

  本文关键词：基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究

  更多相关文章： 阻变存储器 自限流特性 操作电流 ITO电极

【摘要】：采用磁控溅射和光刻技术制备了1μm×1μm的Ti N/Hf O2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性。同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别。结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层。进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应。而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16μW。
【作者单位】： 湖北大学物理与电子科学学院;
【关键词】： 阻变存储器 自限流特性 操作电流 ITO电极
【基金】：国家自然科学基金项目(61474039) 湖北省自然科学基金杰出青年基金项目(2015 CFA052)资助
【分类号】：TP333
【正文快照】： 随着信息时代半导体产业的快速发展,对各种电子产品,特别是信息存储产品的需求呈现高速上升趋势。目前广泛应用的硅基浮栅型闪存在不断微缩的过程中,由于尺寸的影响,将受到无法有效储存电荷的挑战,人们逐渐开发研究新型的存储器件,如铁电存储器(ferroelectric random ac-cess ，

本文编号：1030227