三维集成阻变存储器阵列的电-热模型

发布时间：2017-10-21 06:09

  本文关键词：三维集成阻变存储器阵列的电-热模型

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【摘要】：随着三维集成阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)集成度的不断提高,由焦耳热引起的热效应将会严重影响器件的稳定性、可靠性及寿命.因此,三维集成RRAM将面临最大的挑战是如何解决器件的热效应问题,而这种热效应现象伴随着器件特征尺寸的下降,热量分布对于RRAM器件的影响(如能耗、热稳定性等)变得尤为突出.特别是随着存储单元密度的不断提升,相邻单元之间的距离不断减小,邻近单元的热串扰将严重制约三维集成RRAM的发展和应用.本文基于电-热类比方法,建立了一种新的三维集成阻变存储器阵列的电-热紧凑模型;模型的准确性通过ANSYS物理场仿真软件进行了验证.该模型能够在Cadence中同时进行阵列电学特性和热学特性的仿真;本文提出的紧凑模型可以用于预测三维集成RRAM阵列中的热分布状况及分析热串扰.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;江苏先进生物与化学制造协同创新中心;
【关键词】： 三维集成阻变存储器 紧凑模型 电-热类比
【基金】：中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金 国家自然科学基金(编号:61574166,61306117,61322408,61221004,61334007,61274091) 中国工程物理研究院微系统与太赫兹科学技术基金(编号:CAEPMT201504)资助项目
【分类号】：TP333
【正文快照】： 阻变存储器(RRAM)以材料的电阻可在高低阻态间实现可逆转换为基础[1 3].阻变存储器由于结构简单,与常规互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺兼容性好、写操作电流小、功耗低、与逻辑工艺兼容并具有三维(3D)堆叠海量存储的能力等优点,受，

本文编号：1071704