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纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究

发布时间:2017-10-25 20:40

  本文关键词:纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究


  更多相关文章: 低能质子 纳米静态随机存储器 单粒子翻转 直接电离


【摘要】:针对65,90,250 nm三种不同特征尺寸的静态随机存储器基于国内和国外质子加速器试验平台,获取了从低能到高能完整的质子单粒子翻转截面曲线.试验结果表明,对于纳米器件1 MeV以下低能质子所引起的单粒子翻转截面比高能质子单粒子翻转饱和截面最高可达3个数量级.采用基于试验数据和器件信息相结合的方法,构建了较为精确的复合灵敏体积几何结构模型,在此基础上采用蒙特卡罗方法揭示了低能质子穿过多层金属布线层,由于能量岐离使展宽能谱处于布拉格峰值的附近,通过直接电离方式将能量集中沉积在灵敏体积内,是导致单粒子翻转截面峰值的根本原因.并针对某一轨道环境预估了低能质子对空间质子单粒子翻转率的贡献.
【作者单位】: 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所;
【关键词】低能质子 纳米静态随机存储器 单粒子翻转 直接电离
【基金】:国家科技重大专项(批准号:2014ZX01022-301) 国防科技预研项目(批准号:51308040407) 国家重点基础研究发展计划(批准号:613224)资助的课题~~
【分类号】:TP333
【正文快照】: 观测到当特征尺寸到了45 nm以下,低能质子直接1引言电离甚至能够引发单粒子多位翻转[9,10];分析了低能质子单粒子效应对现有质子单粒子效应模拟质子是空间辐射环境中造成航天器电子学系试验技术和空间翻转率预估方法带来的影响,采统失效的重要来源,通常认为只有中高能质子与材

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本文编号:1095430

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