基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计

发布时间：2017-10-29 05:10

  本文关键词：基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计

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【摘要】：设计并实现了一款基于双位单元虚拟地架构的8 M嵌入式闪存存储器芯片,工作电压是单电源电压1.5V。由于虚拟地架构存储阵列存在侧边漏电流,为了减少灵敏放大器裕度损失,采用了读取电流保护技术。同时,采用了动态读取窗口跟踪参考电压产生电路来最大化灵敏放大器的裕度。采用华虹宏力标准90nm、4层多晶硅4层金属CMOS工艺。芯片尺寸是1.8mm2,读取速度可以达到40ns。
【作者单位】： 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
【关键词】： 双位单元 虚拟地 嵌入式闪存 参考电压产生电路 灵敏放大器
【基金】：上海市青年科技启明星计划项目(16QB1401200)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 引言闪存器件具有存储密度高、掉电数据不丢失等特点,在消费电子、移动通讯等设备中的应用日益广泛[1]。近年来,随着微控制单元(MCU)和用户识别(SIM)卡等系统的广泛应用和升级,嵌入式闪存在这些系统中所占的比重越来越大[2-3]。高性能和低成本成为嵌入式闪存发展的主要驱动力

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本文编号：1111534