当前位置:主页 > 科技论文 > 计算机论文 >

eMMC存储系统的闪存转换层研究与设计

发布时间:2017-11-05 20:28

  本文关键词:eMMC存储系统的闪存转换层研究与设计


  更多相关文章: NAND闪存 闪存转换层 地址映射 垃圾回收 磨损均衡


【摘要】:嵌入式多媒体卡(eMMC)的出现,替代了传统手机内部可拔插的内存卡,扩展了内存空间,精简了手机等电子设备内部电路的设计。eMMC通常由三部分组成:接口控制器、闪存转换层(FTL)、NAND闪存阵列。FTL是存储设备的核心,影响存储设备的读写性能和存储设备的寿命。在设计FTL算法时需要综合考虑NAND闪存的异地更新特性和eMMC协议。FTL算法以映射粒度的不同分为三种映射方法:页映射、块映射和混合映射。页映射逻辑简单,在逻辑页和物理页之间直接建立映射关系,高效灵活,但是页映射需要大量的SRAM存储空间。块映射建立在块之间的映射,映射粒度大,占用SRAM空间小,但块映射会带来频繁的垃圾回收,影响系统的整体性能。混合映射兼顾页映射和块映射的优点,既保证更新数据的灵活性,又减小(?)SRAM占用空间。上述三种映射方法对垃圾回收的性能是一个考验,都需要较高的垃圾回收频率。为减少垃圾回收频率和映射表占用的内存空间,提出了基于需要的一种三级映射管理的闪存转换层(TFTL)。映射表保存在NAND闪存块中,减轻了SRAM的压力,采用页置换法把需求的映射表搬移到SRAM中。本文深入分析了DFTL算法的实现机制,提出基于需要的三级映射管理的闪存转换层(TFTL)算法。指出了其所存在的NAND闪存磨损均衡的不均衡性。TFTL算法改进磨损均衡算法,不需区分数据块和转换块来解决NAND闪存磨损均衡的问题;应用FlashSim仿真和测试TFTL的准确性和复杂度。FlashSim内部集成的FTL算法可以作为评估本文算法的依据。在仿真测试中,选择系统响应时间、系统响应时间的标准差、功耗、磨损均衡和擦除次数作为主要性能指标。TFTL算法均衡考虑NAND闪存擦写寿命的限制,把所有的NAND闪存存放在闪存列表中,每次TFTL分配闪存块时,从闪存列表中选择最年轻的使用,均衡NAND闪存的寿命。TFTL算法与Page mapping FTL、FAST、DFTL的对比分析可知,NAND闪存块擦除次数均衡性较好,系统响应时间和系统响应时间的标准差与Page mapping FTL等算法差异小。
【学位授予单位】:天津工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TP333

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 汉泽西;吕飞;;大容量NAND Flash在嵌入式系统中的应用[J];石油仪器;2006年01期

2 编辑部;;成长强劲的NAND Flash产业[J];电子与电脑;2006年11期

3 ;NAND一季度表现糟糕[J];电子产品世界;2007年07期

4 江兴;;三星NAND闪存龙头地位牢固[J];半导体信息;2008年03期

5 ;NAND闪存闪现光芒,今年营业收入有望大增[J];今日电子;2013年07期

6 ;云应用导致NAND闪存需求下降[J];电子产品世界;2013年12期

7 羽冬;;东芝推出多芯片封装NAND闪存[J];半导体信息;2004年05期

8 羽冬;;Chip Enable Don't Care的NAND闪存[J];半导体信息;2004年01期

9 任萍;嵌入式NAND Flash稳步起飞[J];电子与电脑;2005年05期

10 马丰玺;杨斌;卫洪春;;非易失存储器NAND Flash及其在嵌入式系统中的应用[J];计算机技术与发展;2007年01期

中国重要会议论文全文数据库 前5条

1 ;Design and Implement NAND FLASH Data Storage System Based on the ARM[A];全国数字媒体技术专业建设与人才培养研讨会论文集[C];2011年

2 赵忠文;王魁;;基于NAND Flash的高速大容量固态记录器设计[A];全国第三届信号和智能信息处理与应用学术交流会专刊[C];2009年

3 肖珂;郭永超;郭书军;;基于MTD的NAND Flash驱动开发[A];2010通信理论与技术新发展——第十五届全国青年通信学术会议论文集(上册)[C];2010年

4 雷磊;谢民;李先楚;;基于NAND型Flash的海量存储板的设计与实现[A];全国第二届嵌入式技术联合学术会议论文集[C];2007年

5 刘恕;;NAND Flash的ECC分级及其在ATE设备中的测试方法[A];第五届中国测试学术会议论文集[C];2008年

中国重要报纸全文数据库 前10条

1 佳宜;NAND型Flash缺货恐至2005年[N];电子资讯时报;2004年

2 佳宜;NAND型Flash价跌 需求仍看俏[N];电子资讯时报;2004年

3 燕蕙;休虑NAND型 Flash价跌[N];电子资讯时报;2004年

4 怡均;NAND型Flash难止跌[N];电子资讯时报;2004年

5 ;NAND闪存吃紧[N];计算机世界;2005年

6 周悟;NAND闪存大战在即[N];计算机世界;2005年

7 吴宗翰 DigiTimes 专稿;茂德将于12英寸厂投产NAND Flash[N];电子资讯时报;2006年

8 吴宗翰 DigiTimes;三星、海力士、美光全靠拢NAND Flash[N];电子资讯时报;2006年

9 连于慧/DigiTimes;NAND Flash价格压力沉重 恐再现跌势[N];电子资讯时报;2006年

10 连于慧 DigiTimes;NAND Flash报价跌 厂商大打容量消耗战[N];电子资讯时报;2006年

中国博士学位论文全文数据库 前5条

1 李江鹏;提高NAND型闪存使用寿命的数字信号处理方法研究[D];上海交通大学;2014年

2 黄敏;提高MLC NAND Flash存储系统可靠性的方法研究[D];哈尔滨工业大学;2016年

3 魏德宝;基于错误特征的NAND Flash存储策略研究[D];哈尔滨工业大学;2016年

4 徐永刚;基于NAND Flash的嵌入式图像记录技术[D];中国科学院研究生院(光电技术研究所);2013年

5 孙辉;NAND固态盘有限编程/擦除次数的评测模型及优化方法[D];华中科技大学;2014年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 丁德红;嵌入式系统中大页NAND Flash应用研究[D];吉林大学;2008年

2 周天伟;NAND闪存的软硬判决纠错码应用研究[D];西安电子科技大学;2014年

3 周仕成;基于NAND FLASH高速海量存储系统的设计[D];上海交通大学;2015年

4 江旭东;基于NAND Flash阵列的高速大容量图像存储器设计[D];中北大学;2016年

5 张云鹏;一种基于虚拟分区页映射的闪存FTL设计[D];安徽大学;2016年

6 张蓉;支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash控制器设计[D];华中科技大学;2014年

7 王举利;eMMC存储系统的闪存转换层研究与设计[D];天津工业大学;2016年

8 谭雪青;高密度NAND闪存的纠错码架构及评价方法研究[D];华南理工大学;2016年

9 王世元;NAND Flash错误特性模型及应用研究[D];哈尔滨工业大学;2016年

10 许芮铭;基于SOPC的NAND Flash控制器设计[D];电子科技大学;2016年



本文编号:1145779

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/1145779.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户41bce***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com