基于SRL结构的抗辐射SRAM单元设计

发布时间：2017-11-08 01:19

  本文关键词：基于SRL结构的抗辐射SRAM单元设计

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【摘要】：在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁。提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存储结构由3个Muller C单元和2个反相器构成,并采用读写线路分开设计。单粒子效应模拟实验结果表明,该单元不仅在静态存储状态下对SEU效应具有免疫能力,在读写过程中对SEU效应同样具有免疫能力。
【作者单位】： 电子科技大学电子科学与技术研究院;
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言当一个高能粒子轰击一个反偏PN结的耗尽区或体硅区时,入射路径中的硅被电离,形成电子空穴对,该粒子周围的耗尽区遭到破坏,其电场等势面被改变。在电场的作用下,电子移向正电极,空穴移向衬底,从而形成电流,引起节点电位的改变。当电流达到一定的值并维持一定的时间,节点的，

本文编号：1154972