LiF缓冲层对基于酞菁铜二极管电存储器的性能调控研究

发布时间：2017-11-15 00:32

  本文关键词：LiF缓冲层对基于酞菁铜二极管电存储器的性能调控研究

  更多相关文章： 缓冲层 串扰电流 整流 电存储

【摘要】：有机二极管电存储器以其结构简单、材料易取、尺寸可缩性好、具备可堆叠多维多值存储能力等优点,成为了存储器行业的研发重点。但是,在获取高密度高集成化的有机二极管电存储器中,存在着性能不稳定和存储单元中串扰电流带来的数据误读问题。因此,研究解决有机二极管电存储器中存在的串扰电流问题和探索调控优越的器件性能具有重要意义。本论文基于酞菁铜有机二极管电存储器设计制备了一系列不同结构的器件,采取界面修饰调控手段,引入缓冲层对有机二极管存储器件进行界面调控,获得了同时具有存储特性和整流效应的有机二极管存储器件,并分别在单层活性层结构、异质结结构和多层结构的有机二极管存储器中进行推广探讨。通过系列调控实验以及机制分析揭示了缓冲层在有机二极管存储器中的应用潜力,此外总结了实验的一般规律,证明了阳极缓冲层在有机二极管存储器中具有可靠的普适性,并推测所设计的器件性能能有效抑制有机二极管电存储器件中存在的串扰电流问题。(1)基于酞菁铜(CuPc)设计了ITO/CuPc/Al的有机二极管电存储器件结构,通过引入阳极缓冲层,设计制备了具备大整流与稳定存储的二极管存储器件ITO/LiF/CuPc/Al。阳极缓冲层在器件中的应用使得器件的开关电流比得到了提升,同时拥有了更稳定的存储回滞窗口和可观的整流比,存储开关比和整流比可最大达到103。此外,活性层与缓冲层的不同厚度实验以及缓冲层不同位置实验表明了该器件的机制源于阳极缓冲层带来的界面修饰作用,从而使得活性层中的陷阱电荷得以释放与再填充,并造成了器件正负方向的电流值巨大差异而产生了可观的整流。(2)引入阳极缓冲层改进器件结构从而改善器件性能这一发现,进一步研究了阳极缓冲层在以异质结主体结构的器件性能调控。系统研究了ITO/LiF/CuPc/F_(16)CuPc/Al结构的二极管电存储器件,通过设计LiF在异质结结构器件中的不同位置实验,LiF在器件中不同的位置表现出不同的器件电学性能,证明了缓冲层在阳极位置给器件带来的性能改善,同时设计了不同活性层材料组成的异质结结构器件,在引入阳极缓冲层后器件得到了相应的性能改善,证明了阳极缓冲层可普遍适用在多类异质结结构有机二极管存储器中。(3)最后,设计了一系列引入阳极缓冲层在多层结构存储器件中的实验,并对改善后的多层器件进行了不同扫描方向、外电场对器件性能影响研究。系列实验证明了阳极缓冲层在多层结构器件的可推广性。
【学位授予单位】：南京邮电大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TP333

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,林兰英;氮化镓缓冲层的物理性质[J];半导体学报;1999年08期

2 K.Morizane;学工;;GaAsMESFET源-漏烧毁的机理[J];半导体情报;1981年02期

3 ;GaAs离子注入工艺实验简况[J];固体电子学研究与进展;1982年01期

4 宋淑梅;宋玉厚;杨田林;贾绍辉;辛艳青;李延辉;;同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响[J];人工晶体学报;2013年12期

5 R.D.Fairman;严振斌;;用卤化物输运法生长高阻掺铬GaAs缓冲层[J];半导体情报;1981年01期

6 韩培德,杨海峰,张泽,段树坤,滕学公;半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析[J];半导体学报;1998年10期

7 A.A.Immorlica;张俊杰;;利用离子注入体衬底和汽相外延缓冲层制造功率GaAsFET[J];半导体情报;1981年01期

8 刘明大,李淑文,苏世昌,张喜田,高欣;液相外延生长准三元InP缓冲层位错密度降低的研究[J];半导体光电;1988年01期

9 朱慧群;丁瑞钦;蔡继业;胡怡;;同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响[J];电子元件与材料;2006年07期

10 熊丽;李美成;邱永鑫;张保顺;李林;刘国军;赵连城;;缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响[J];功能材料;2007年06期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 唐武;殷学松;邓龙江;;缓冲层对Au膜电阻率的影响[A];2009中国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2009年

2 阎有花;卢志超;周少雄;李正邦;;宽带隙缓冲层CuI薄膜的制备和性能研究[A];2009中国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2009年

3 潘红星;王茺;熊飞;张学贵;杨杰;李天信;杨宇;;缓冲层生长温度对量子点生长的影响[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第6分册）[C];2010年

4 武娜;骆群;马昌期;;有机-无机复合薄膜作为电子缓冲层在聚合物太阳能电池中的应用[A];中国化学会第29届学术年会摘要集——第25分会：有机光伏[C];2014年

5 王国松;张珊珊;甄营;董巧燕;姜宏伟;;Ta缓冲层对超薄NiCo薄膜微结构和磁电特性的影响[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第6分册）[C];2010年

6 金沈贤;钟智勇;任学恒;张怀武;;Fe_3O_4缓冲层对CoFe_2O_4薄膜磁性能的影响[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（3）[C];2007年

7 刘亚光;孔令寅;李绍辉;刘海鸥;张雄福;邱介山;;ZnO层作为过渡缓冲层而诱导合成的稳定ZIF-8膜的高温气体渗透[A];第十七届全国分子筛学术大会会议论文集[C];2013年

8 李占国;刘国军;尤明慧;熊敏;李梅;李林;;MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究[A];2007年先进激光技术发展与应用研讨会论文集[C];2007年

9 蔡志海;张平;谭俊;;硅基体BN_x注入缓冲层对c-BN薄膜生长和结合强度的影响[A];2007年全国博士生学术论坛（材料科学与工程学科）论文集[C];2007年

10 周丽萍;季勇;季红;王艾玲;郑鹉;姜宏伟;;(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(66)Cr_(34)缓冲层对Ni_(74)Co_(26)薄膜各向异性磁电阻的影响[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年

中国重要报纸全文数据库 前1条

1 ;包装箱用带缓冲层的复合纸垫板[N];中国包装报;2006年

中国博士学位论文全文数据库 前10条

1 潘婧;溶液法对阳极界面修饰提高聚合物太阳能电池性能的研究[D];西南大学;2015年

2 王辉;缓冲层外延生长及其与超导层的相互影响机制研究[D];陕西科技大学;2016年

3 高芳亮;大失配缓冲层技术外延生长In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜及其电池制备[D];华南理工大学;2016年

4 雷鸣;高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体缓冲层长带[D];西南交通大学;2012年

5 张欣;高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体缓冲层和超导层[D];西南交通大学;2013年

6 徐林华;缓冲层、包覆层对提高ZnO纳米薄膜紫外发射性能的研究[D];南京理工大学;2009年

7 张燕怡;高温超导涂层导体氧化物缓冲层的PVD法制备[D];清华大学;2013年

8 尹伊;铁电薄膜生长及器件制备工艺的研究[D];浙江大学;2011年

9 程飞;MoO_3作为阳极缓冲层的聚合物太阳能电池的研究[D];武汉大学;2014年

10 李彬;铁酸铋/钛酸锶钡双层膜多铁耦合效应与改性研究[D];哈尔滨工业大学;2014年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 周涛;基于乳酸体系CSD快速制备GdBiO_3缓冲层的工艺及其机理研究[D];西南交通大学;2015年

2 许文鹏;聚合物太阳能电池阴极缓冲层的退火工艺优化和光学模拟[D];吉林大学;2016年

3 刘华艳;以SrTiO_3为缓冲层的超晶格电解质的制备及性能研究[D];内蒙古大学;2016年

4 杨洁;LiF缓冲层对基于酞菁铜二极管电存储器的性能调控研究[D];南京邮电大学;2016年

5 陈艳丽;酞菁氯铝缓冲层在有机电致发光器件中的应用[D];北京交通大学;2010年

6 赵强;退火条件及同质缓冲层对生长ZnO薄膜特性的研究[D];西北师范大学;2013年

7 侯捷;基于BST的多层薄膜及其可调器件的研究[D];上海交通大学;2011年

8 王香亚;芳纶纤维增强防刺电动车轮胎缓冲层材料制备与表征[D];浙江大学;2009年

9 王存涛;不同缓冲层对坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻的影响[D];山东师范大学;2013年

10 余正荣;采用液相化学法沉积ZnS缓冲层的研究[D];西安理工大学;2007年

，

本文编号：1187679